Ce travail de thèse porte sur l'intégration de matériaux de haute constante diélectrique (High-k) en tant que diélectrique interpoly dans les mémoires non volatiles de type Flash. L'objectif est de déterminer quel matériaux High-k seraient des candidats probables au remplacement de l'empilement ONO utilisé en tant que diélectrique interpoly. Une gamme de matériaux high-k ont été étudiés via des caractérisations électriques (I-V, C-V, statistique de claquage…) et physiques (TEM, EDX, XPS…) afin d'éliminer les matériaux ne répondant pas au cahier des charges d'un diélectrique interpoly. Les difficultés et les obstacles liés a l'intégration de matériaux High-k dans une chaine de procédés de fabrication de mémoires Flash ont été pris en compte, et des solutions ont été proposées. / The work of this thesis is on integration of high dielectric constant materials (High-k) as dielectric interpoly in Flash non volatile memories. The objective is to determine which High-k materials are suitable as interpoly dielectric in place of the ONO stack currently used. A range of High-k materials have been studied by electrical characterizations (I-V, C-V, breakdown statistics…) and physical characterizations (TEM, EDX, XPS…) in order to select those with the best properties for an interpoly dielectric. The difficulties in integration of High-k materials in a Flash memory process flow have been taken in account and solutions have been proposed.