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1	Thin Cr2O3 (0001) Films and Co (0001) Films Fabrication for Spintronics Cao, Yuan (Chemistry researcher) 12 1900 (has links) The growth of Co (0001) films and Cr2O3 (0001)/Co (0001) has been investigated using surface analysis methods. Such films are of potential importance for a variety of spintronics applications. Co films were directly deposited on commercial Al2O3 (0001) substrates by magnetron sputter deposition or by molecular beam epitaxy (MBE), with thicknesses of ~1000Å or 30Å, respectively. Low Energy Electron Diffraction (LEED) shows hexagonal (1x1) pattern for expected epitaxial films grown at 800 K to ensure the hexagonally close-packed structure. X-ray photoemission spectroscopy (XPS) indicates the metallic cobalt binding energy for Co (2p3/2) peak, which is at 778.1eV. Atomic force microscopy (AFM) indicates the root mean square (rms) roughness of Co films has been dramatically reduced from 10 nm to 0.6 nm by optimization of experiment parameters, especially Ar pressure during plasma deposition. Ultrathin Cr2O3 films (10 to 25 Å) have been successfully fabricated on 1000Å Co (0001) films by MBE. LEED data indicate Cr2O3 has C6v symmetry and bifurcated spots from Co to Cr2O3 with Cr2O3 thickness less than 6 Å. XPS indicates the binding energy of Cr 2p(3/2) is at 576.6eV which is metallic oxide peak. XPS also shows the growth of Cr2O3 on Co (0001) form a thin Cobalt oxide interface, which is stable after exposure to ambient and 1000K UHV anneal. spintronics epitaxial films magnetron sputter deposition ultra-high vacuum X-ray photoemission spectroscopy Thin films. Spintronics.
2	Nitrogen Reduction Reaction: Deposition, Characterization and Selectivity of Transition Metal (V, Co & Ti) Oxynitrides as Electrocatalysts Chukwunenye, Precious O. 12 1900 (has links) The electrocatalytic nitrogen reduction reaction (NRR) is of considerable interest due to its potential for less energy intensive and environmentally friendly ammonia production which is critical for agricultural and clean energy applications. However, the selectivity of NRR compared to the hydrogen evolution reaction (HER) often poses challenges for various catalysts, including Earth-abundant transition metal oxynitrides like Ti, V, and Co. In this work, a comparative analysis of the selectivity of these three metal oxynitrides was conducted, each having different metal oxophilicities. A combination of electrochemical, surface characterizations and density functional theory (DFT) calculations were employed to directly assess NRR and HER activities under the same reaction conditions. Results show that cobalt oxynitrides exhibit NRR activity at pH 10, involving the electrochemical reduction of both lattice-bound nitrogen and dissolved N2, although more HER activity was observed. In contrast, vanadium oxynitride films displayed HER inactivity at pH 7 and 10 but demonstrated NRR activity at pH 7, while titanium oxynitrides were active at pH 3.2 but inactive under neutral and basic pH conditions. These comprehensive studies highlight substantial variations in HER and NRR selectivity based on transition metal oxophilicity/azaphilicity, indicating distinct mechanisms governing NRR and HER mechanisms. nitrogen reduction reaction electrocatalyst thin films deposition NRR HER hydrogen evolution reaction magnetron sputter deposition Chemistry, Analytical
3	Erarbeitung eines Raumtemperatur-Waferbondverfahrens basierend auf integrierten und reaktiven nanoskaligen Multilagensystemen Bräuer, Jörg 04 February 2014 (has links) (PDF) Die vorliegende Arbeit beschreibt einen neuartigen Fügeprozess, das sogenannte reaktive Fügen bzw. Bonden. Hierbei werden sich selbsterhaltene exotherme Reaktionen in nanoskaligen Schichtsystemen als lokale Wärmequelle für das Fügen unterschiedlichster Substrate der Mikrosystemtechnik verwendet. Das Bonden mit den reaktiven Systemen unterscheidet sich von herkömmlichen Verfahren der Aufbau- und Verbindungstechnik primär dadurch, dass durch die rasche Reaktionsausbreitung bei gleichzeitig kleinem Reaktionsvolumen die Fügetemperaturen unmittelbar auf die Fügefläche beschränkt bleiben. Entgegen den herkömmlichen Fügeverfahren mit Wärmeeintrag im Volumen, schont das neue Verfahren empfindliche Bauteile und Materialien mit unterschiedlichsten thermischen Ausdehnungskoeffizienten lassen sich besser verbinden. In der vorliegenden Arbeit werden die Grundlagen zur Dimensionierung, Prozessierung und Integration der gesputterten reaktiven Materialsysteme beschrieben. Diese Systeme werden verwendet, um heterogene Materialien mit unterschiedlichen Durchmessern innerhalb kürzester Zeit auf Wafer-Ebene und bei Raumtemperatur zu bonden. Die so erzeugten Verbindungen werden hinsichtlich der Mikrostruktur, der Zuverlässigkeit sowie der Dichtheit untersucht und bewertet. Zusätzlich wird die Temperaturverteilung in der Fügezone während des Fügeprozesses mit numerischen Methoden vorhergesagt. Magnetron Sputter Deposition Nanoskalierte Multilayer Selbstausbreitende exotherme Reaktionen Pd/Al- und Ti/Si-Systeme Waferbonden Raumtemperaturbonden Hochtemperaturlagerung FEM-Simulation Temperaturwechseltests Hermetizität Finite-Element-Methode Magnetron Sputter Deposition Nano scale multilayer self-propagating exothermic reactions Pd/Al- and Ti/Si-systems waferbonding room-temperature bonding high temperature storage FEM-simulation temperature shock testing hermeticity ddc:620 Bonden Exotherme Reaktion Leckrate Mehrschichtsystem Mikrosystemtechnik Sputtern
4	Erarbeitung eines Raumtemperatur-Waferbondverfahrens basierend auf integrierten und reaktiven nanoskaligen Multilagensystemen Bräuer, Jörg 24 January 2014 (has links) Die vorliegende Arbeit beschreibt einen neuartigen Fügeprozess, das sogenannte reaktive Fügen bzw. Bonden. Hierbei werden sich selbsterhaltene exotherme Reaktionen in nanoskaligen Schichtsystemen als lokale Wärmequelle für das Fügen unterschiedlichster Substrate der Mikrosystemtechnik verwendet. Das Bonden mit den reaktiven Systemen unterscheidet sich von herkömmlichen Verfahren der Aufbau- und Verbindungstechnik primär dadurch, dass durch die rasche Reaktionsausbreitung bei gleichzeitig kleinem Reaktionsvolumen die Fügetemperaturen unmittelbar auf die Fügefläche beschränkt bleiben. Entgegen den herkömmlichen Fügeverfahren mit Wärmeeintrag im Volumen, schont das neue Verfahren empfindliche Bauteile und Materialien mit unterschiedlichsten thermischen Ausdehnungskoeffizienten lassen sich besser verbinden. In der vorliegenden Arbeit werden die Grundlagen zur Dimensionierung, Prozessierung und Integration der gesputterten reaktiven Materialsysteme beschrieben. Diese Systeme werden verwendet, um heterogene Materialien mit unterschiedlichen Durchmessern innerhalb kürzester Zeit auf Wafer-Ebene und bei Raumtemperatur zu bonden. Die so erzeugten Verbindungen werden hinsichtlich der Mikrostruktur, der Zuverlässigkeit sowie der Dichtheit untersucht und bewertet. Zusätzlich wird die Temperaturverteilung in der Fügezone während des Fügeprozesses mit numerischen Methoden vorhergesagt. info:eu-repo/classification/ddc/620 ddc:620
5	Investigations On The Effect Of Process Parameters On The Composition Of DC Magnetron Sputter Deposited NiTi Shape Memory Alloy Thin Films Sumesh, M A 09 1900 (has links) (PDF) No description available. Thin Films Thin Film Deposition Nickel Titanium Thin Films Nickel Titanium Shape Memory Alloys Martensitic Transformations Shape Memory Effect Shape Memory Alloy (SMA) Sputter Deposition NiTi Thin Films Magnetron Sputtering Mosaic Target Synthesis NiTi Shape Memory Alloy Instrumentation

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