Στην διατριβή αυτή μελετήθηκαν και εξακριβώθηκαν θεωρητικά όλες οι φυσικές διεργασίες που υπεισέρχονται στις μετρήσεις του διαμορφωμένου φωτορεύματος. Με βάση αυτές δείξαμε ότι μπορούμε να εξάγουμε όλες τις πιθανές διεργασίες παγίδευσης και επανασύνδεσης σε διάφορες κατηγορίες ανόργανων ημιαγωγών. Σαν μελλοντική μελέτη μπορεί να γίνει η επέκταση της θεωρητικής ανάλυσης για υλικά όπου έχουμε ατέλειες που μπορούν να βρεθούν σε περισσότερες από δύο καταστάσεις φορτίου όπως είναι οι αιωρούμενοι δεσμοί του άμορφου . Επίσης η ανάλυση που προτείνουμε μπορεί να εφαρμοστεί και στην κατηγορία των οργανικών ημιαγωγών. / In this thesis we studied and verified theoretically, all the physical processes involved in modulated photocurrent measurements. Based on these measurements, we show that we can extract all possible trapping and recombination processes in different classes of inorganic semiconductors. As future study, we can extend the theoretical analysis for materials which have defects that may be found in more than two charge states such as the dangling bonds in amorphous silicon. Also, the analysis we propose can be applied to the class of organic semiconductors.