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Improvement of ON-Characteristics in SiC Bipolar Junction Transistors by Structure Designing Based on Analyses of Material Properties and Carrier Recombination / 材料物性およびキャリア再結合の解析に基づいたデバイス構造考案による SiCバイポーラトランジスタのオン特性向上Asada, Satoshi 25 March 2019 (has links)
京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第21772号 / 工博第4589号 / 新制||工||1715(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 杉山 和彦 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM
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