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Caracterização dos parâmetros de recozimento de aços totalmente processados para fins elétricosGebler, Sérgio Roberto January 2000 (has links)
Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. / Made available in DSpace on 2012-10-17T12:29:59Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2014-09-25T19:30:37Z : No. of bitstreams: 1
51239.pdf: 40554332 bytes, checksum: f490642ba33f0df3f164e420a19fbbf2 (MD5) / A busca mundial pela redução do consumo de energia tem incitado os fabricantes de motores elétricos a procurar alternativas para aumentar o rendimento de seus produtos. Dentre as diversas variáveis que estão envolvidas no processo produtivo, merece destaque a influência exercida pelos parâmetros do ciclo de tratamento térmico a que são submetidos os aços utilizados na fabricação de rotores e estatores. A definição de parâmetros apropriados implica na adequação correta de recursos, na conseqüente redução de custos, no aprimoramento da qualidade e, inclusive, na interferência positiva sobre os tempos de fabricação. Neste trabalho, são apresentadas as análises realizadas em um aço elétrico da classe totalmente processado, revestido com fosfato, sob três condições de fabricação distintas:
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Sintese e caracterização das propriedades eletricas do poli (p-fenileno-CO-2,5-pirazina)Castilho, Marcia Dezotti 14 July 2018 (has links)
Orientador : Marco-Antonio De Paoli / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-14T08:19:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1989 / Mestrado
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Estudo fotoeletroquímico do Si-pFerreira, Jorge Luis S. 26 August 1985 (has links)
Orientador: Franco Decker / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T18:48:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1984 / Resumo: Não informado / Abstract: In this work the photoelectrochemical behavior of p-type Si in various aqueous solutions is studied. Reduction reaction are analyzed, which are promoted by electrons from the semi-conducting electrode. Dark reactions are distinguished from reactions which occur under illumination. The electrodeposition of a metal layer onto the semiconductor is studied as well. Finally, we show the use of a photoelectrochemical cell with p-Si as electrode for solar energy conversion / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Comportamento dieletrico de uma cadeia de isoladores de vidro de classe de tensão 138 KV com unidades danificadasMonassi, Vitor 27 July 1988 (has links)
Orientador: Ioshiaki Doi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T19:47:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1988 / Resumo: Este trabalho tem por objetivo estudar o comportamento de cadeias de isoladores de vidro, utilizadas em linhas de transmissão de 138 kV, quando elas apresentam unidades danificadas. Quando um ou mais isoladores danificados passa a integrar a composição de uma cadeia, a suportabilidade dessa cadeia varia com o número de unidades danificadas e com o posicionamento que elas ocupam. O estudo do comportamento dielétrico de uma cadeia com isoladores de vidro com unidades danificadas é de grande interesse prático, pois está associado ao desempenho do sistema elétrico e a execução de manutenções com lina energizada ... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: When one or more broken units are present in the insulator string, its voltage strength changes with the location and distribution of broken units in the string. In generaI the broken or damage insuIators may affect the performance of the transmission Iines. On the other hand, it infIuences the Iive Iine maintenance safety conditions. This work studies the dielectric bchavior of the glass insulator strings of 138 kV transmission Iines with broken units under switching and Iightning impulse voltages and industrial frequence (60 Hz) voltage. Brief comments are made on Iive Iine maintenance tools and methods, as welI as some expected overvoltages on transmission Iines. The behavior of the gaps with and without insulator strings in them are also discussed and commented ... Note: The complete abstract is available with the full electronic digital thesis or dissertations / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica
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Preparação e caracterização de um material elastomerico, eletroativo e eletrocromicoTassi, Eliana Lanfranca 15 July 2018 (has links)
Orientador : Marco-Aurelio De Paoli / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Quimica / Made available in DSpace on 2018-07-15T23:14:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1992 / Doutorado
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Estrutura eletrônica de polímeros conjugados : a influência da desordemSantos, Donizetti Aparecido dos 02 October 1992 (has links)
Orientador: Bernardo Laks / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T23:24:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1992 / Resumo: Este trabalho foi dedicado ao estudo teórico de diversos fenômenos observados em polímeros orgânicos conjugados onde efeitos provocados por desordem desempenham um papel fundamental. Foram tratados em detalhe, principalmente, três problemas: (1) a reação das polianilinas em meio ácido, considerando que os sítios imina das cadeias são protonados de maneira aleatória. É bem conhecido que a dopagem por protonação leva algumas formas de polianilina a sofrer uma transição isolante-metal. Mostramos que a protonação aleatória das iminas resulta em modificações na estrutura eletrônica da cadeia que são compatíveis com a transição de fase; (2) os efeitos sobre a estrutura eletrônica provocados por defeitos de polimerização em politiofeno. A ocorrência de defeitos de acoplamento do tipo a-b' é comum na polimerização de heterociclos como o tiofeno. Investigamos a estrutura eletrônica de uma longa cadeia de politiofeno contendo um número variável de defeitos do tipo a-b' distribuídos aleatoriamente. Verificamos que a ocorrência desses defeitos diminui a conjugação ao longo da cadeia, levando a modificações no espectro óptico e refletindo negativamente sobre a condutividade elétrica do material; (3) a transição de fase ordem-desordem em politiofenos alquil-substituídos. Polialquiltiofenos são derivados solúveis de politiofeno que apresentam, entre outras, a propriedade de mudar de cor com o aumento da temperatura (termocromismo). Construímos um modelo relacionando o termocromismo com um processo de desordem conformacional induzido pela temperatura, através do qual foi possível interpretar diversas propriedades observadas durante a transição termocrômica.
A metodologia empregada nesse estudo consistiu da utilização da técnica Negative Factor Counting (NFC), que permite calcular o espectro de autovalores de uma matriz de tamanho arbitrário. A estrutura eletrônica de cadeias isoladas de polímeros com algum tipo de desordem foi obtida, então, através da combinação de um modelo Hamiltoniano particular, adequado ao problema em questão, e da técnica NFC / Abstract: The present work is dedicated to the theoretical study of effects observed in organic conjugated polymers in which disorder plays an important role. The following problems have been chosen for study: (1) Chemical reaction of polyanilines in acidic solutions. It is well known that protonation doping leads to insulator-to-metal transition in some forms of polyanilines. We have been able to show that, for the random protonation of imine sites of polyaniline, modifications occur on the electronic structure that are consistent with the phase transition; (2) Effects of polymerization defects on the electronic structure of polythiophene. The occurrence of mislinks of a-b' type is very common in the polymerization of heterocycles such as thiophene. The electronic structure of a long thiophene chain containing a variable number of randomly distributed a-b' mislinks has been investigated. It is shown that those defects lead to loss of conjugation of the chain and consequently the optical abortion spectrum and conduction properties are affected; (3) Order-disorder phase transition in alkyl-substituted polythiophenes. Poly (alkylthiophenes) are soluble derivatives of polythiophenes that present, among others, the property of changing its color due to an increase in temperature (thermochromism). A model was built to relate thermochromism with a temperature-induced conformational disorder process (rotation of thiophenes out of the conjugation plane). Several features observed during heating-cooling cycles of these polymers have been elucidated within the present model.
The electronic structure of disordered systems has been obtained by the combination of several quantum chemical and solid state techniques. A model Hamiltonian appropriate for a given problem has been chosen and the Negative Factor Counting (NFC) technique, which allows the calculation of the eigenvalue spectrum of an arbitrary matrix, was used to evaluate electronic properties / Doutorado / Física / Doutor em Ciências
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Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicioKobayashi, Susumu 08 December 1987 (has links)
Orientador: Carlos I. Z. Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-16T17:48:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1987 / Resumo: Foi desenvolvido um sistema de crescimento epitaxial de silício que opera com tetracloreto de silício. O sistema foi inteiramente projetado e construído no Laboratório de Eletrônica e Dispositivos, tendo como objetivos principais a obtenção de camadas epitaxias de silício em substratos de 2,5 polegadas, aquecidos por efeito Joule em um susceptor de grafite, a temperaturas na faixa de 1150 a 1250 graus Celsius. O sistema se baseia na reação do 'Si¿¿Cl IND. 4¿ com hidrogênio que é introduzido na câmara; depois de purificado. Os gases dopantes são a fosfina a diborana e o tricloreto de fósforo de forma a se poder obter camadas dopadas tipos N ou P. O projeto foi efetuado buscando-se utilizar preferencialmente materiais disponíveis no mercado local, e todo o desenho foi efetuado buscando-se garantir a segurança do operador tendo em vista que os gases utilizados são altamente tóxicos e explosivos. O sistema, na sua forma final, mostrou-se versátil, seguro e de fácil operação, permitindo a obtenção de camadas epitaxiais de silício, com condições de temperatura na faixa de 1100 a 1350 graus Celsius, taxa de crescimento de 0,14 a 1,10 micra/min, para a vazão de hidrogênio de 9,2 litros por minuto e vazão de tetracloreto de silício com hidrogênio de 790 mililitros por minuto ... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica
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Crescimento epitaxial (LPE) de junções abruptas em InAs e estudo de processos de injeção por tunelamento radiativoBull, Douglas John 15 July 1977 (has links)
Orientador: Navin B. Patel / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T11:35:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1977 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física
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Determinação de parametros cineticos e caracterização eletrica de filmes de SiO2 produzidos por oxidação termica pirogenica do SiCosta, Jose Camargo da 17 July 2018 (has links)
Orientador: Carlos Ignacio Zamitti Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-17T04:48:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1982 / Resumo: Neste trabalho são apresentados os resultados de investigações acerca de características de filmes finos de SiO2 produzidos por oxidação térmica pirogênica do Si. Utilizaram-se de substratos de silício, tipo N, orientação <100>, com resistividade na faixa de 4 a 6O .cm. Foram obtidos dados de espessura de óxido x tempo de oxidação (a temperaturas de 950ºC, 1050ºC e 1150ºC); parâmetros cinéticos da oxidação e respectivas energias de ativação; densidade de cargas fixas no óxido; densidade e cargas móveis no óxido; densidade de cargas capturadas na interface SiO2 - Si; campo de ruptura do óxido e parâmetros de geração-recombinações de portadores no semicondutor. Os resultados obtidos, à exceção dos valores determinados para os parâmetros de geração-recombinação, correspondem aos resultados na literatura para filmes de SiO2 térmico de boa qualidade. / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica
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Projeto e construção de um sistema para fusão zonal horizontal e sua aplicação no crescimento e purificação de monocristais de germanioTatsch, Peter Jürgen, 1949- 17 July 2018 (has links)
Orientadores: Yukio Ishikawa, Carlos Ignacio Zamitti Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-17T06:02:06Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1982 / Resumo: Este trabalho versa sobre o projeto e a construção de um sistema: para fusão zonal horizontal e a sua aplicação no crescimento e purificação de monocristais de Germânio. Inicialmente destrevem-se, de modo suscinto, as noções básicas e o modelamentodo processo da fusão zonal horizontal. Seguem-se as descrições do projeto e da construção do sistema de fusãozonal horizontal que é constituido de um forno de 1,2 kW, aquecimento resistivo e temperatura máxima de operação de 1100 -+ 0,3º C, que pode ser deslocado horizontalmente sobre dois barrameritos com velocidade variável. Finalmente descrevem-se os procedimentos utilizados no crescimento e na purificação de monocristais de Germânio a partir de sementes geradas no próprio sistema. Estes monocristais, crescidos a partir de uma matéria-prima de 99,9% de pureza foram analizados quanto à sua monocristalinidade, orientação cristalográfica e quanto as espécies e perfis de concentração de suas impurezas. Os resultados destas medidas mostram uma estrutura monocristalina em 85% da extensão dos cristais, uma pureza tipica de 99,9998% e concentrações dos elementos elétricamente ativos P, Al, Ga e In menores que 0,5 ppm. Os monocristais de Germânio crescidos foram utilizados na fabricação de dispositivos Hall e na confecção de lentes e janelas para a radiação infravermelha. / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica
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