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1	Untersuchungen zum Reaktionsverhalten kristalliner Siliziumoberflächen in HF-basierten Ätzlösungen Patzig-Klein, Sebastian 16 February 2010 (has links) (PDF) Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der grundlegenden Untersuchung von Reaktionsmustern kristalliner Si-Oberflächen in HF-basierten Lösungen. Ausgehend von den industriell genutzten HF-HNO3-H2O-Gemischen wurden wisher wenig untersuchte HF/HNO3-Konzentrationsverhältnisse, die durch gelöste Stickoxide bedingten Folgereaktionen sowie der PH-Wert als Steuerparameter zur Aufarbeitung feinkörniger Si-Rohstoffe (Korngröße ≤ 0,5 mm) identifiziert. Die in diesem Kontext zentrale Rolle der NO+-Ionen wurde durch Untersuchung der spezifischen Reaktionsmuster an kristallinen as-cut und hydrophobierten Si-Oberflächen sowie bei Umsetzungen mit Oligosilanen als Modellverbindungen bestätigt. Die aus den umfassenden analytischen Daten (FT-IR-, Raman-, NMR-Spektroskopie, IC, REM-EDX, AFM) gewonnenen Erkenntnisse liefern einen wichtigen Beitrag zum Verständnis nasschemischer Halbleiterätzprozesse und erschließen neue Anwendungsfelder. Kristallines Silicium Nasschemische Halbleiterätzverfahren Nitrosylionen Elektrochemisches Abtragen Flusssäure Salpetersäure Nitrosylkation crystalline silicon nitrosonium ions electrochemical etching hydrofluoric acid nitric acid ddc:540 rvk:VH 8021 rvk:ZM 7660 rvk:VE 7000