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Showing 1 to 5 of 5 (0.009 seconds)| 1 |
Untersuchungen zur Sauerstoffausscheidung in hoch bordotiertem SiliciumZschorsch, Markus 24 July 2009 (has links) (PDF)
Die Sauerstoffausscheidung in Silicium wird durch die Höhe der Bordotierung beeinflusst. Mit dem Ziel der Aufklärung der Mechanismen bei der Ausscheidung wurden verschiedene physikalische Messmethoden angepasst und ein breiter Borkonzentrationsbereich charakterisiert. Es wurden die frühen Phasen der Ausscheidungsbildung sowie Komplexbildung als auch das Wachstum der Sauerstoffausscheidungen untersucht. Mithilfe einer neuen Methodenkombination aus alkalischem Ätzen und FTIR-Spektroskopie konnten verschiedene Bor-Komplexe nachgewiesen werden. Die Erkenntnisse über deren Existenz sowie Kinetik wurden numerisch umgesetzt. Mittels Kleinwinkel-Neutronenstreuung wurden erstmals in den frühen Phasen der Sauerstoffausscheidung deren Form und Größe in Abhängigkeit der Borkonzentration bestimmt. Die physikalischen Prozesse, die zu einem beschleunigten als auch anomalen Ausscheidungsverhalten in Abhängigkeit der Borkonzentration führen, konnten teilweise aufgeklärt werden.
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Silicium-NanopartikelHeimfarth, Jan 17 February 2010 (has links) (PDF)
Die Arbeit befasst sich mit dem chemischen Verhalten von Oberflächen an Siliciumnanopartikeln. Diese stehen in ihrer Reaktivität, aufgrund des großen Verhältnisses Oberfläche zu Volumen, zwischen einzelnen Atomen und ausgedehnten Kristallen. Durch Umsetzung mit unterschiedlich funktionalisierten Molekülen gelingt es, die Oberfläche der Partikel zu modifizieren. Dabei wurde eine neue Möglichkeit gefunden, Si-C-Bindungen auf Si-Oberflächen zu erzeugen.
Die Modifizierung mit Wasserstoff (durch Behandlung mit HF) oder mit Chlor (durch Umsetzung mit Chlorierungsmitteln) schafft neue, synthetisch wertvolle Ausgangssituationen. Darauf aufbauend konnten Alkyl, Alkoxy- und Amingruppen kovalent angeknüpft werden.
Die chemische Modifizierung der Nanopartikel führt zu verändertem Photoleitfähigkeits- sowie Photolumineszenzverhalten. Es wurde ein Vorschlag zur Deutung dieser Effekte entwickelt.
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Untersuchungen zum Reaktionsverhalten kristalliner Siliziumoberflächen in HF-basierten ÄtzlösungenPatzig-Klein, Sebastian 16 February 2010 (has links) (PDF)
Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der grundlegenden Untersuchung von Reaktionsmustern kristalliner Si-Oberflächen in HF-basierten Lösungen. Ausgehend von den industriell genutzten HF-HNO3-H2O-Gemischen wurden wisher wenig untersuchte HF/HNO3-Konzentrationsverhältnisse, die durch gelöste Stickoxide bedingten Folgereaktionen sowie der PH-Wert als Steuerparameter zur Aufarbeitung feinkörniger Si-Rohstoffe (Korngröße ≤ 0,5 mm) identifiziert. Die in diesem Kontext zentrale Rolle der NO+-Ionen wurde durch Untersuchung der spezifischen Reaktionsmuster an kristallinen as-cut und hydrophobierten Si-Oberflächen sowie bei Umsetzungen mit Oligosilanen als Modellverbindungen bestätigt. Die aus den umfassenden analytischen Daten (FT-IR-, Raman-, NMR-Spektroskopie, IC, REM-EDX, AFM) gewonnenen Erkenntnisse liefern einen wichtigen Beitrag zum Verständnis nasschemischer Halbleiterätzprozesse und erschließen neue Anwendungsfelder.
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Höherkoordinierte Pyridin-Addukte von HydridochlorsilanenFester, Gerrit 17 February 2010 (has links) (PDF)
Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Synthese, Stabilität und Reaktivität von Hydridochlorosilan-Pyridin-Addukten (RHSiCl2, RSiCl3, SiCl4; mit R=H, Me und Ph). Hydridochlorosilane, die zu den wichtigsten industriell verwendeten Siliciumverbindungen gehören, bilden in unpolaren Lösungsmitteln durch Umsetzung mit Pyridinbasen stabile Hydridochlorosilan-Pyridin-Addukte in sehr hohen Reinheiten und Ausbeuten. Neben diesen Komplexierungsreaktionen werden auch Dismutations-, Dissoziations- und Hydrosilylierungsreaktionen genauer untersucht. Die Charakterisierung der Produkte erfolgte durch Lösungs- bzw. Festkörper-NMR- und Raman-Spektroskopie, Röntgendiffraktometrie sowie Elementaranalyse, sie wurde in ausgewählten Fällen durch DFT-Rechnungen unterstützt. Durch Variation sowohl des Silicium- als auch des Liganden-Substituentenmusters wurden Rückschlüsse auf die Stabilität und Reaktivität der Addukte erhalten. Die erzielten Ergebnisse vertiefen das Verständnis von Prozessabläufen zur Dismutation von Hydridochlorosilanen und ermöglichen eine bessere Kontrolle und Steuerung dieser Reaktionen. Weiterhin erlauben die Addukte selektive Syntheserouten zu zahlreichen Derivaten, wie z.B. Dialkoxysilane, Diaminosilane, Cyclosiloxane, oder Hydrosilylierungsprodukte mit aktivierten Alkenen ohne Einsatz von Metallkatalysatoren.
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Defekte im Bodenbereich blockerstarrten Solar-SiliziumsGhosh, Michael 24 June 2010 (has links) (PDF)
Etwa die Hälfte aller Solarzellen weltweit wird aus blockerstarrtem Silizium hergestellt. Derartige Blöcke weisen in ihren Außenbereichen eine verringerte Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger auf. Um die Ursache dafür im Fall des bodennahen Bereichs zu bestimmen wurden zwei Spezialblöcke (ein Block mit reduzierter Bor-Dotierung und ein Block mit Phosphor-Dotierung) - u. a. mittels DLTS und FTIR - auf Kristalldefekte untersucht. Zusätzlich zu Dotierelementen (B, P, Al, As) wurden im Bodenbereich folgende Defekte nachgewiesen:
<u>Metalle</u>: Fe, Cr
<u>Sauerstoffhaltige Defekte</u>: Interstitieller Sauerstoff, Thermische Donatoren (TD), O1, O2
<u>Stickstoffhaltige Defekte</u>: NN-Paar, NNO-Komplex, Shallow Thermal Donors (STD)
<u>Ausgedehnte Defekte</u>: Versetzungen, Ausscheidungen, Korngrenzen.
Die Verteilung der flachen Donatoren (P, TD, STD, As) und Akzeptoren (B, Al) bestimmt den Widerstandsverlauf im bodennahen Bereich des Phosphor dotierten Spezialblocks. Das dortige Diffusionslängenprofil kann im Rahmen der Shockley-Read-Hall-Statistik erst durch eine Erhöhung des Minoritätseinfangquerschnitts für das Cr-Niveau (Faktor 5) bzw. für das STD-Niveau (Faktor 10) nachgezeichnet werden. Eisen, Versetzungen und Korngrenzen haben hier keinen wesentlichen Einfluss. In den untersten Millimetern des Spezialblocks müssen weitere Defekte hinzukommen, die die Diffusionslänge zusätzlich reduzieren; Thermische Donatoren und O1 und eventuell Ausscheidungen kommen dazu in Frage.
Die sinngemäße Übertragung der Konzentrationsverläufe aus den beiden Spezialblöcken auf einen Block mit einer produktionsüblichen Dotierung ([B]≈10<sup><small>16</small></sup>/cm<sup><small>3</small></sup>) ergibt, dass in diesem Fall verschiedene Defekte (TD, STD, CrB und FeB) einen Beitrag zur Diffusionslängenreduktion im bodennahen Blockbereich liefern.
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