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1	Atomic-scale transport in graphene: the role of localized defects and substitutional doping Willke, Philip 08 December 2016 (has links) No description available. 530 Physik (PPN621336750) graphene scanning tunneling potentiometry (STP) scanning tunneling microscopy (STM) scanning tunneling spectroscopy (STS) thermovoltage monolayer-bilayer-junction charge transport Kelvin probe force microscopy (KPFM) chemical doping low-energy ion implantation magnetotransport defects
2	単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明近藤, 博基, 安田, 幸夫, 財満, 鎭明, 酒井, 朗, 池田, 浩也 04 1900 (has links) 科学研究費補助金研究種目:基盤研究(A)(2) 課題番号:13305005 研究代表者:近藤博基研究期間:2001-2004年度 Conductive atomic force microscopy Dielectric breakdown Gate SiO_2 Films HfO_2 La_2O_3- Al_2O_3複合膜 MOSキャパシタ Metal-oxide-Semiconductor Metal-oxide-Semiconductor(MOS) Scanning tunneling microscopy(STM) Scanning tunneling spectroscopy(STS) Stress induced leakage current ゲートSiO_2膜ゲート絶縁膜ストレス誘起リーク電流ストレス誘起欠陥極薄シリコン酸化膜絶縁破壊走査トンネル分光走査プローブ顕微鏡走査型トンネル顕微鏡透過電子顕微鏡金属酸化膜電気伝導特性電流スポット電流検出型原子間力顕微鏡電荷トラップ高誘電率ゲート絶縁膜高誘電率材料

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Atomic-scale transport in graphene: the role of localized defects and substitutional doping

単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明