Orientador: Edmundo da Silva Braga / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-07-22T13:06:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_NidinalvaTamaciada_M.pdf: 2840355 bytes, checksum: c1e622485168c42c74f8ae58175be20d (MD5) Previous issue date: 1997 / Resumo: Neste trabalho foi realizada a deposição fotoeletroquímica seletiva de filmes finos de cobre a partir de uma solução de sulfato de cobre II sobre um substrato de silício-p polarizado catodicamente. O interesse no estudo da deposição desses filmes ocorreu devido à necessidade de substituição do alumínio e suas ligas nas interconexões metálicas dos circuitos integrados em ULSI. Para que os filmes finos metálicos de cobre possam ser utilizados nas interconexões metálicas dos circuitos integrados é necessário que não sejam macrorrugosos, portanto foram determinadas as condições experimentais que possibilitaram a deposição de filmes finos morfologicamente compactos. Estas condições foram determinadas através de um estudo envolvendo a técnica de voltametria linear e da iluminação do eletrodo de silício-p com diferentes potências de luz laser. Foi verificado que uma reação fotoeletroquímica, cuja velocidade é controlada pela geração de pares elétrons-lacunas forma filmes de cobre com morfologia que talvez possibilite o seu uso como interconectores. A velocidade de crescimento do filme de cobre diminui com o tempo para a fotodeposição realizada com um laser de 0,95 mW e com corrente elétrica igual a-55 ?mu?A. Isto é um indicativo de outra reação química de redução deve ocorrer simultaneamente à redução dos íons cobre. A análise por microscopia eletrônica de varredura do filmes fotodepositados mostrou que o cobre cresce sobre o silício-p formando cristais com o hábito cristalino piramidal / Abstract: : In this work a selective photoelectrochemical copper deposition was developed. The copper thin films was photodeposited from a standard aqueous plating solutions on p-Si. Copper is a promising candidate for use in electronic packaging and ultra-Iarge scale integrated (ULSI) devices due to its low resistivity. However, the thin film morphology is a very important propertie in the electrical properties of the film. In practice, a unifom hard deposit is desired, and care must be taken to prevent the formation of loose deposits consisting of dendrites or powders. Loose deposit of this kind are generally formed under mass transfer control. It was developed a study to prevent the formation of this kind of copper film morphology, based on linear voltammetry techniques under various iIIumination conditions. It was-observed a formation of- an uniform hard copper thin film on p-Si under electrons-holes generation control. The thin film rate growth decrease with the time depositon for an photoelectrochemical deposition carry out under constant current (-55 ?mu?A) and iIIumination (0,95 mW). This indicates that another electrochemical reaction must be occur at the same time of the copper film formation. Pyramidal growth forms have been observed on photodeposited copper films by SEM microscopy / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica