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Walden University College of Social and Behavioral Sciences This is to certify that the doctoral dissertation by Sinsey E. Johnson has been found to be complete and satisfactory in all respects, and that any and all revisions required by the review committee have been made. Review Committee Dr. Gabriel Telleria, Committee Chairperson, Public Policy and Administration Faculty Dr. George Larkin, Committee Member, Public Policy and Administration Faculty Dr. Tanya Settles, University Reviewer, Public Policy and Administration Faculty Chief Academic Officer Eric Riedel, Ph.D. Walden University 2016 Workplace bullying is a source of distress and contributes to productivity losses and poor mental health among workers in the United States. Little, though, is known about how organizational structure and culture may impact the frequency of bullying within the context of federal public organizations. Using Schein's theory of organizational climate as the foundation, this correlational study examined the relationship between organizational size, type including protective services, the United States Postal Service, or other government agencies, and climate as defined by Schein. Survey data using the modifications of the Negative Acts Questionnaire and the Psychosocial Safety Climate Scale were used to collect data from a sample of 78 employees of the federal government. Data were analyzed using a linear regression technique. Results indicate that organizational size and type are not predictive of bullying behavior, but there is a statistically significant relationship between organizational climate and bullying (p = .001). The positive social change implications stemming from this study includes recommendations to federal government executives to explore organizational policies and rules to mitigate bullying behaviors through attention to organizational climate, thereby potentially increasing organizational efficiency and improving the work experience of federal employees.

Made available in DSpace on 2014-06-11T19:28:22Z (GMT). No. of bitstreams: 0 Previous issue date: 2009-02-18Bitstream added on 2014-06-13T19:36:51Z : No. of bitstreams: 1 santos_nl_me_jabo.pdf: 517628 bytes, checksum: 70d21dfa53683dfd47034c97d1b70962 (MD5) / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) / Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) / Avaliou-se o efeito do IAF residual sob a estrutura do pasto de capim-Tanzânia e o comportamento ingestivo de cabras Boer X Saanen sob lotação intermitente. O experimento foi conduzido no período de fevereiro/2008 a agosto/2008. A área foi subdividida em 18 piquetes de 243 m2 para o estudo de 3 tratamentos dispostos segundo um delineamento em blocos casualizados com 6 repetições para avaliações referentes à gramínea. As avaliações referentes ao comportamento ingestivo das cabras foram realizadas, na mesma área, em 12 piquetes, alocados em blocos casualizados, com 4 repetições. Os tratamentos consistiram em 3 IAF residuais (0,8 – 1,6 – 2,4). O período de descanso foi adotado segundo o critério de 95% de IL ou quando as leituras permanecerem constantes durante 3 semanas consecutivas. Antes do pastejo foi feito a medição da altura da vegetação em 20 pontos distintos e colheu-se 6 amostras ao nível do solo por piquete. Os animais pastejaram até atingir o IAF pré-determinado para o resíduo. Foi aferido o índice de área foliar (IAF) e da interceptação luminosa (IL) com o aparelho analisador de dossel (AccuPAR LP-80 da Decagon – USA). As amostras colhidas foram pesadas e, por conseguinte, retirada um alíquota de 400 g para a separação dos componentes morfológicos (folha, colmo + bainha e material morto), estes foram secados em estufa (55 ºC) por 72h e pesados, a fim de estimar as características estruturais. Avaliou-se a densidade volumétrica da forragem, com o auxílio do “ponto inclinado” e feita as análises laboratoriais a fim de estimar o que os caprinos consumiram durante o pastejo. As amostras analisadas foram colhidas pelo método do pastejo simulado. Também foram mensuradas variáveis que refletem o comportamento ingestivo em pastejo como a massa, a área, a profundidade e a taxa do bocado. No pré-pastejo, os valores de interceptação... / The effect residual LAI was evaluate under structural characteristics of tanzania grass and the ingestivo behavior by goats Saanen X Boer at rotational stocking. The experiment was conducted in the period on February/2008 to August/2008. The area was divided into 18 paddocks of 243 m2 for the study with 3 treatments arranged in a randomized blocks design with 6 replications for the grasses evaluations. The evaluations relating to the ingestive behavior of the goats were carried out, in the same area, in 12 paddocks, allocated in randomized blocks design with 4 replications. The treatments consisted in 3 levels of residual LAI (0,8 – 1,6 – 2,4). The period of rest was adopted according to the criterion of 95% of LI or when the readability remained constant during 3 consecutive weeks. Before each period of grazing have been done 20 points of height of vegetation were taken, 6 samples at the level of the soil were collected for each paddock . The animals grazed until the the remainder LAI pre-determined. Measurements were made of leaf area index (LAI) and the light interception (LI) with the equipment AccuPAR LP-80 Decagon – USA. Samples were weighed and, 400 g were kept for the separation of morphologic components (leaf, stem lap and dead). These were dried at 55° C for 72h and weighed in order to estimate the herbage mass. Density was evaluated by volume of forage with the inclined point quadrat. Laboratory analyzes were done in order to estimate the goats fed during the grazing and the samples were collected by the handing plucking method. They were measured variables which reflect the ingestive behavior in grazing as the bite mass, area, depth and the rate . Pre-grazing, the values of light interception and leaf area index were not significantly affected by treatments (P>0.05). The values of time of pre grazing of the animals... (Complete abstract click electronic access below)

Materiais da família ACu3Ti4O12 (ACTO) são potenciais candidatos para aplicação como dielétricos em capacitores cerâmicos devido aos seus altíssimos valores de constante dielétrica (ε\'), podendo chegar a 105 à temperatura ambiente. Entretanto, a origem deste fenômeno, denominado constante dielétrica gigante (CDG), é ainda uma questão altamente discutida na literatura. Deste modo, para compreender melhor os mecanismos por trás da manifestação desta CDG, neste trabalho os compostos ACu3Ti4O12 (com A = Ca, Bi2/3) foram sintetizados por uma rota baseada no método dos precursores poliméricos, sendo as reações envolvidas durante a síntese investigadas por análise térmica diferencial (ATD) e termogravimentria (TG). O subsequente processamento cerâmico foi realizado via sinterização tanto convencional quanto não convencional, utilizando, neste último caso, sinterização a laser e assistida por campo elétrico. As características (micro)estruturais foram avaliadas por meio de difratometria de raios X (DRX), microscopia eletrônica de varredura (MEV) e espectroscopia de energia dispersiva de raios X (EDX). Já as propriedades (di)elétricas foram estudadas, em nível microestrutural, utilizando espectroscopia de impedância (EI). Destas caracterizações, verificou-se que tanto as características (micro)estruturais quanto as propriedades (di)elétricas são fortemente influenciadas pelas condições de processamento. Neste sentido, mostramos que estes materiais podem apresentar baixos valores de permissividade à temperatura ambiente (ε\' ~ 102), típicos da resposta do volume, quando possuem grãos resistivos. Em contrapartida, quando as cerâmicas apresentam grãos semicondutores, valores de constante dielétrica gigante (ε\' >103) são verificados à temperatura ambiente devido à manifestação de efeitos de polarização interfacial. O caráter semicondutor dos grãos surge de maneira termicamente assistida. Isto ocorre porque, em maiores temperaturas, há uma migração de Cu para as regiões intergranulares das cerâmicas e também uma reação de redução do Cu2+ em Cu+. Durante o resfriamento o Cu+ reoxida, dando origem a semicondutividade dos grãos (deficientes em Cu). Como as condições empregadas na sinterização influenciaram as propriedades finais das cerâmicas, incluindo tamanho médio de grãos, decidimos inovar no processamento cerâmico ao aplicar um campo elétrico durante o tratamento térmico partindo de um pó ainda amorfo. Isto levou à observação de dois cenários: i) em altos campos, o pó sai de seu estado amorfo, passa pela cristalização de fases intermediárias, seguida de síntese ultrarrápida (flash synthesis), sem densificação; ii) em baixos campos, o pó transita do estado amorfo à fase final (passando pela cristalização das fases intermediárias), acompanhada de sinterização ultrarrápida (flash sintering), com alta densificação, tudo isso em um único experimento (FAST O3S). Finalmente, mostramos assim que utilizar um campo elétrico durante o tratamento térmico pode acelerar significativamente as taxas tanto de síntese quanto de sinterização, o que abre um novo paradigma no processamento de materiais cerâmicos. / Materials of the ACu3Ti4O12 (ACTO) family are potential candidates for application as dielectric in ceramic capacitors due to their extremely large dielectric constant (ε\'), which can reach 105 at room temperature. However, the origin of such large ε\' values, known as giant dielectric constant (GDC), is still an open debate in the literature. In order to better understand the mechanisms behind the manifestation of the GDG phenomenon, in this work, the compounds ACu3Ti4O12 (with A = Ca, Bi2/3) were synthesized by applying a modified polymeric precursor method. The reactions taking place during the powders synthesis were investigated through differential thermal analysis (DTA) and thermogravimetry (TG). The ceramic processing was then performed via conventional as well as non-conventional sintering, using, in the latter case, both laser and electric field-assisted sintering. The (micro)structural characteristics were evaluated by X-ray diffraction (DRX), scanning electron microscopy (SEM), and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX). Regarding the (di)electric properties, they were examined (at the microstructural level) using impedance spectroscopy (IS). We have shown from these characterizations that both (micro)structural and (di)electric features are strongly dependent on processing conditions. In this sense, we have demonstrated that these materials might present a low permittivity at room temperature (ε\' ~ 102), typical from the bulk response, when the ceramic grains are resistive. On the other hand, when the grains are semiconducting, giant dielectric constant values (ε\' >103) are verified at room temperature due to the manifestation of interfacial polarization effects. The semiconducting nature of the grains is promoted by a thermally-assisted mechanism, i.e., at higher temperatures there is Cu migration towards the ceramic intergranular areas and also a reduction of Cu2+ to Cu+. During cooling, the Cu+ re-oxidizes yielding the grain (Cu-deficient) semiconductivity. Since the conditions employed during the sintering have influenced the final ceramic properties, including the average grain size, we propose a novel approach to the ceramic processing by applying an electric field during the heat treatment starting from an amorphous powder, which led to the following scenarios: i) powder crystallization into the intermediate phases and then instantaneously into the final phase (flash synthesis), displaying no densification, at high fields; ii) powder transition from amorphous to the final phase (through crystallization into intermediate phases), followed by sintering with high densification, at low fields: this is the fast one-step synthesis plus sintering (FAST O3S) of materials, which ends with the so-called flash sintering. Finally, we have demonstrated that both synthesis and sintering rates can be enhanced by applying an electric field during the heat treatment, opening a new paradigm for ceramic processing.

Materiais da família ACu3Ti4O12 (ACTO) são potenciais candidatos para aplicação como dielétricos em capacitores cerâmicos devido aos seus altíssimos valores de constante dielétrica (ε\'), podendo chegar a 105 à temperatura ambiente. Entretanto, a origem deste fenômeno, denominado constante dielétrica gigante (CDG), é ainda uma questão altamente discutida na literatura. Deste modo, para compreender melhor os mecanismos por trás da manifestação desta CDG, neste trabalho os compostos ACu3Ti4O12 (com A = Ca, Bi2/3) foram sintetizados por uma rota baseada no método dos precursores poliméricos, sendo as reações envolvidas durante a síntese investigadas por análise térmica diferencial (ATD) e termogravimentria (TG). O subsequente processamento cerâmico foi realizado via sinterização tanto convencional quanto não convencional, utilizando, neste último caso, sinterização a laser e assistida por campo elétrico. As características (micro)estruturais foram avaliadas por meio de difratometria de raios X (DRX), microscopia eletrônica de varredura (MEV) e espectroscopia de energia dispersiva de raios X (EDX). Já as propriedades (di)elétricas foram estudadas, em nível microestrutural, utilizando espectroscopia de impedância (EI). Destas caracterizações, verificou-se que tanto as características (micro)estruturais quanto as propriedades (di)elétricas são fortemente influenciadas pelas condições de processamento. Neste sentido, mostramos que estes materiais podem apresentar baixos valores de permissividade à temperatura ambiente (ε\' ~ 102), típicos da resposta do volume, quando possuem grãos resistivos. Em contrapartida, quando as cerâmicas apresentam grãos semicondutores, valores de constante dielétrica gigante (ε\' >103) são verificados à temperatura ambiente devido à manifestação de efeitos de polarização interfacial. O caráter semicondutor dos grãos surge de maneira termicamente assistida. Isto ocorre porque, em maiores temperaturas, há uma migração de Cu para as regiões intergranulares das cerâmicas e também uma reação de redução do Cu2+ em Cu+. Durante o resfriamento o Cu+ reoxida, dando origem a semicondutividade dos grãos (deficientes em Cu). Como as condições empregadas na sinterização influenciaram as propriedades finais das cerâmicas, incluindo tamanho médio de grãos, decidimos inovar no processamento cerâmico ao aplicar um campo elétrico durante o tratamento térmico partindo de um pó ainda amorfo. Isto levou à observação de dois cenários: i) em altos campos, o pó sai de seu estado amorfo, passa pela cristalização de fases intermediárias, seguida de síntese ultrarrápida (flash synthesis), sem densificação; ii) em baixos campos, o pó transita do estado amorfo à fase final (passando pela cristalização das fases intermediárias), acompanhada de sinterização ultrarrápida (flash sintering), com alta densificação, tudo isso em um único experimento (FAST O3S). Finalmente, mostramos assim que utilizar um campo elétrico durante o tratamento térmico pode acelerar significativamente as taxas tanto de síntese quanto de sinterização, o que abre um novo paradigma no processamento de materiais cerâmicos. / Materials of the ACu3Ti4O12 (ACTO) family are potential candidates for application as dielectric in ceramic capacitors due to their extremely large dielectric constant (ε\'), which can reach 105 at room temperature. However, the origin of such large ε\' values, known as giant dielectric constant (GDC), is still an open debate in the literature. In order to better understand the mechanisms behind the manifestation of the GDG phenomenon, in this work, the compounds ACu3Ti4O12 (with A = Ca, Bi2/3) were synthesized by applying a modified polymeric precursor method. The reactions taking place during the powders synthesis were investigated through differential thermal analysis (DTA) and thermogravimetry (TG). The ceramic processing was then performed via conventional as well as non-conventional sintering, using, in the latter case, both laser and electric field-assisted sintering. The (micro)structural characteristics were evaluated by X-ray diffraction (DRX), scanning electron microscopy (SEM), and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX). Regarding the (di)electric properties, they were examined (at the microstructural level) using impedance spectroscopy (IS). We have shown from these characterizations that both (micro)structural and (di)electric features are strongly dependent on processing conditions. In this sense, we have demonstrated that these materials might present a low permittivity at room temperature (ε\' ~ 102), typical from the bulk response, when the ceramic grains are resistive. On the other hand, when the grains are semiconducting, giant dielectric constant values (ε\' >103) are verified at room temperature due to the manifestation of interfacial polarization effects. The semiconducting nature of the grains is promoted by a thermally-assisted mechanism, i.e., at higher temperatures there is Cu migration towards the ceramic intergranular areas and also a reduction of Cu2+ to Cu+. During cooling, the Cu+ re-oxidizes yielding the grain (Cu-deficient) semiconductivity. Since the conditions employed during the sintering have influenced the final ceramic properties, including the average grain size, we propose a novel approach to the ceramic processing by applying an electric field during the heat treatment starting from an amorphous powder, which led to the following scenarios: i) powder crystallization into the intermediate phases and then instantaneously into the final phase (flash synthesis), displaying no densification, at high fields; ii) powder transition from amorphous to the final phase (through crystallization into intermediate phases), followed by sintering with high densification, at low fields: this is the fast one-step synthesis plus sintering (FAST O3S) of materials, which ends with the so-called flash sintering. Finally, we have demonstrated that both synthesis and sintering rates can be enhanced by applying an electric field during the heat treatment, opening a new paradigm for ceramic processing.