L'augmentation des débits à 10Gbps et 40Gbps dans les télécommunications<br />optiques couplée à des besoins de portées supérieures à 150 km privilégie l'emploi de la<br />modulation externe, et en particulier, des modulateurs électro-optiques. Les circuits de<br />commande des modulateurs optiques apparaissent alors comme un élément clé de ces<br />systèmes de transmission.<br />Les premiers chapitres permettent, suite à une présentation des systèmes et architectures les<br />plus couramment utilisés, de définir les spécifications en performances requises pour les<br />circuits de commande de modulateurs externes et en particulier des modulateurs électrooptiques.<br />Une étude complète des amplificateurs distribués, et de leurs différentes<br />configurations, est menée. Ces amplificateurs, par leur produit gain-bande passante élevé,<br />répondent en effet au mieux aux exigences définies. Les amplificateurs conçus ont été réalisés<br />à partir de transistors PHEMT sur arséniure de gallium, de 0.15 μm de longueur de grille.<br />Afin de simplifier la mise en boîtier et de résoudre les désagréments de la polarisation<br />classique des amplificateurs distribués, deux nouveaux circuits de polarisation intégrés ont été<br />développés. Tout d'abord une nouvelle charge active, tenant lieu de terminaison de la ligne de<br />sortie de l'amplificateur distribué, permet de polariser et de conserver l'adaptation en sortie de<br />l'amplificateur distribué lors d'une variation du courant de polarisation, pour d'un contrôle de<br />gain par exemple. Egalement un dispositif intégré de sources de courant connectés à la ligne<br />de sortie de l'amplificateur distribué, appelé té de polarisation actif, a été étudié. La<br />réalisation d'un circuit de commande, par le report et la mise en boîtier d'un amplificateur<br />distribué utilisant le té de polarisation actif, a été validée par des mesures de paramètres [S] et<br />des diagrammes de l'oeil électriques et optiques.