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Quantum transport in nanostructures from computational concepts to spintronics in graphene and magnetic tunnel junctions

Wimmer, Michael January 2008 (has links)
Zugl.: Regensburg, Univ., Diss., 2008
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Microscopic chaos, fractals, and transport in nonequilibrium steady states Mikroskopisches Chaos, Fraktale und Transport in stationären Nichtgleichgewichtszuständen /

Klages, Rainer, January 2005 (has links)
Dresden, Techn. Univ., Fak. Mathematik und Naturwiss., NaHabil.-Schr., 2004.
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Modelling of fast neutron transients in an accelerator driven system

Rabiti, Cristian. January 2007 (has links)
Zugl.: Stuttgart, Univ., Diss., 2007.
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Modeling and simulation of an electrostatic image transfer

Hoffmann, Rainer. Unknown Date (has links)
Techn. University, Diss., 2004--München.
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Quantum transport in nanostructures : from computational concepts to spintronics in graphene and magnetic tunnel junctions /

Wimmer, Michael. January 2009 (has links)
Zugl.: Regensburg, University, Diss., 2008.
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Entropic transport in confined media

Burada, Poornachandra Sekhar January 2008 (has links) (PDF)
Augsburg, Univ., Diss., 2008.
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Ein systemtechnischer Ansatz zur Modellierung von Hydraulik, Stofftransport und reaktionskinetischen Prozessen in Kläranlagen /

Blase, Thomas. January 1995 (has links)
Zugl.: Hannover, Universiẗat, Diss., 1994.
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Spurengasmessungen in der Tropopausenregion zur Charakterisierung von Stratosphären-Troposphären-Austauschprozessen

Wetter, Thomas. Unknown Date (has links)
Universiẗat, Diss., 2003--Frankfurt am Main.
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Transport Phenomena in Bi\(_2\)Se\(_3\) and Related Compounds / Transport Phänomene in Bi\(_2\)Se\(_3\) und verwandten Materialien

Grauer, Stefan January 2018 (has links) (PDF)
One of the most significant technological advances in history was driven by the utilization of a new material class: semiconductors. Its most important application being the transistor, which is indispensable in our everyday life. The technological advance in the semiconductor industry, however, is about to slow down. Making transistors ever smaller to increase the performance and trying to reduce and deal with the dissipative heat will soon reach the limits dictated by quantum mechanics with Moore himself, predicting the death of his famous law in the next decade. A possible successor for semiconductor transistors is the recently discovered material class of topological insulators. A material which in its bulk is insulating but has topological protected metallic surface states or edge states at its boundary. Their electrical transport characteristics include forbidden backscattering and spin-momentum-locking with the spin of the electron being perpendicular to its momentum. Topological insulators therefore offer an opportunity for high performance devices with low dissipation, and applications in spintronic where data is stored and processed at the same point. The topological insulator Bi\(_2\)Se\(_3\) and related compounds offer relatively high energy band gaps and a rather simple band structure with a single dirac cone at the gamma point of the Brillouin zone. These characteritics make them ideal candidates to study the topological surface state in electrical transport experiments and explore its physics. / Einer der wichtigsten technologischen Fortschritte der Geschichte wurde von der Nutzung einer neuen Materialklasse getrieben: Halbleitern. Ihre wichtigste Anwendung ist der Transistor, welcher unverzichtbar für unseren Alltag geworden ist. Allerdings ist der technologische Fortschritt in der Halbleiterindustrie dabei sich zu verlangsamen. Versuche die Transistoren immer kleiner zu machen und die Abwärme zu regulieren und zu reduzieren werden bald ihr, durch die Quantenmechanik vorgeschriebenes, Ende erreichen. Moore selbst hat schon das Ende seines berühmten Gesetzes für das nächste Jahrzehnt vorhergesagt. Ein möglicher Nachfolger für Halbleitertransistoren ist die kürzlich entdeckte Materialklasse der topologischen Isolatoren. Ein Material, dass in seinem Volumen isolierend ist, aber an seinen Grenzen durch die Topologie geschützte metallische Oberflächenzustände oder Randkanäle hat. Deren elektrischen Transporteigenschaften umfassen unterdrückte Rückstreuung und Spin-Impuls-Kopplung, wobei der Spin des Elektrons senkrecht zu seinem Impuls ist. Topologische Isolatoren bieten daher die Möglichkeit für hochleistungsfähige Bauteile mit niedrigem Widerstand und für Anwendungen in der Spintronik, in der Daten an der gleichen Stelle gespeichert und prozessiert werden. Der topologische Isolator Bi\(_2\)Se\(_3\) und verwandte Materialien weisen eine relativ hohe Energielücke und eine eher einfache Bandstruktur mit einem einzigen Dirac-Kegel am Gammapunkt der Brilloiun Zone auf. Diese Eigenschaften machen sie zu idealen Kandidaten um den topologischen Oberflächenzustand in elektrischen Transportexperimenten zu untersuchen und seine neue Physik zu entdecken.
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Transport and aging in glassy systems

Rinn, Bernd January 1900 (has links) (PDF)
Zugl.: Konstanz, Univ., Diss., 2001

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