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高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究

Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第17581号 / 工博第3740号 / 新制||工||1570(附属図書館) / 30347 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 浅野 卓 / 学位規則第4条第1項該当

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/174947
Date25 March 2013
Creators林, 利彦
Contributors木本, 恒暢, 藤田, 静雄, 浅野, 卓, Hayashi, Toshihiko, ハヤシ, トシヒコ
Publisher京都大学 (Kyoto University), Kyoto University
Source SetsKyoto University
LanguageJapanese
Detected LanguageJapanese
TypeDFAM, Thesis or Dissertation
Formatapplication/pdf
Rights許諾条件により要旨・本文は2013-09-25に公開

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