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Variability in BTI-Induced Device Degradation: from Silicon Measurement to SRAM Yield Prediction / トランジスタのBTI劣化ばらつきに関する研究:特性評価からSRAM 回路歩留り予測へ

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(情報学) / 甲第19862号 / 情博第613号 / 新制||情||106(附属図書館) / 32898 / 京都大学大学院情報学研究科通信情報システム専攻 / (主査)教授 佐藤 高史, 教授 小野寺 秀俊, 教授 髙木 直史 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Informatics / Kyoto University / DFAM

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/215689
Date23 March 2016
CreatorsAwano, Hiromitsu
Contributors佐藤, 高史, 小野寺, 秀俊, 髙木, 直史, 粟野, 皓光, アワノ, ヒロミツ
Publisher京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageEnglish
Detected LanguageEnglish
Typedoctoral thesis, Thesis or Dissertation
Formatapplication/pdf

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