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Search results

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Variability in BTI-Induced Device Degradation: from Silicon Measurement to SRAM Yield Prediction / トランジスタのBTI劣化ばらつきに関する研究：特性評価からSRAM 回路歩留り予測へ

Awano, Hiromitsu 23 March 2016 (has links)
京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(情報学) / 甲第19862号 / 情博第613号 / 新制||情||106(附属図書館) / 32898 / 京都大学大学院情報学研究科通信情報システム専攻 / (主査)教授 佐藤 高史, 教授 小野寺 秀俊, 教授 髙木 直史 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Informatics / Kyoto University / DFAM
集積回路
微細化
信頼性
バイアス温度不安定性（BTI）
歩留り解析
007

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