Return to search

Organisch modifizierte Ag/GaAs-Schottky-Kontakte

In dieser Arbeit wurden die Strom-Spannungs- und
Kapazitäts-Spannungs-Kennlinien von Ag/n-GaAs(100)
Schottky-Dioden untersucht, wobei die Kennlinien durch
organische Zwischenschichten verschiedener Dicke
modifiziert werden. Dazu wird der organische Halbleiter
3,4,9,10- Perylentetracarboxyldianhydrid (PTCDA) verwendet.
Die PTCDA-Schichten werden mittels Organischer
Molekularstrahldeposition (OMBD) hergestellt. Die Charakterisierung der
Ag/PTCDA/GaAs-Dioden erfolgte sowohl in situ als auch ex situ.

Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa.de:bsz:ch1-200000882
Date15 November 2000
CreatorsLindner, Thomas
ContributorsTU Chemnitz, Fakultät für Naturwissenschaften
PublisherUniversitätsbibliothek Chemnitz
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
Languagedeu
Detected LanguageGerman
Typedoc-type:masterThesis
Formatapplication/pdf, application/postscript, text/plain, application/zip

Page generated in 0.0019 seconds