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LEED- und AES-Untersuchungen an Silicidschichten

Die Arbeit befasst sich mit dem Wachstum dünner CrSi2-Schichten auf Si(001). Die Schichtherstellung wurde mittels eines template-Verfahrens in einer MBE-Anlage realisiert. Die Charakterisierung der Schichten erfolgte mittels RBS,AES,LEED,REM,TEM,XRD sowie Widerstandsmessungen.

Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:17999
Date11 December 2002
CreatorsAllenstein, Frank
ContributorsTechnische Universität Chemnitz
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
LanguageGerman
Detected LanguageGerman
Typedoc-type:masterThesis, info:eu-repo/semantics/masterThesis, doc-type:Text
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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