In dieser Arbeit wurde der Einfluss dünner Siliciumdioxidschichten
auf die im Co(20 nm)/Ti(5 nm)/SiO$_{2}$(0...3 nm)/Si(100) System,
bei einer Kurzzeittemperung, ablaufenden Festphasenreaktionen
untersucht. Weiterhin wurden Festphasenreaktionen an Co/C/Si(100)
und Ti/Co/C/Si(100) Schichtsystemen untersucht. Plasmaätzprozesse
wurden zur Entfernung der, im Co/Ti/Si-System nach Temperung
entstehenden, reaktionsbedingten Deckschicht verwendet.
Die Charakterisierung der Proben erfolgte mittels elektrischer Messungen,
TEM, STM, XRD, RBS und AES.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:17575 |
| Date | 10 November 1999 |
| Creators | Hortenbach, Heiko |
| Contributors | Technische Universität Chemnitz |
| Source Sets | Hochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden |
| Language | German |
| Detected Language | German |
| Type | doc-type:masterThesis, info:eu-repo/semantics/masterThesis, doc-type:Text |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Page generated in 0.0019 seconds