In dieser Arbeit wurden die Strom-Spannungs- und
Kapazitäts-Spannungs-Kennlinien von Ag/n-GaAs(100)
Schottky-Dioden untersucht, wobei die Kennlinien durch
organische Zwischenschichten verschiedener Dicke
modifiziert werden. Dazu wird der organische Halbleiter
3,4,9,10- Perylentetracarboxyldianhydrid (PTCDA) verwendet.
Die PTCDA-Schichten werden mittels Organischer
Molekularstrahldeposition (OMBD) hergestellt. Die Charakterisierung der
Ag/PTCDA/GaAs-Dioden erfolgte sowohl in situ als auch ex situ.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:17662 |
| Date | 15 November 2000 |
| Creators | Lindner, Thomas |
| Contributors | Technische Universität Chemnitz |
| Source Sets | Hochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden |
| Language | German |
| Detected Language | German |
| Type | doc-type:masterThesis, info:eu-repo/semantics/masterThesis, doc-type:Text |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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