Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs

Description

Orientador : Jacobus Willibrordus Swart / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-01T03:19:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Yoshioka_RicardoToshinori_D.pdf: 5664583 bytes, checksum: 23bca28e4856ca609fc3f0c59981bf76 (MD5)
Previous issue date: 2001 / Doutorado

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1. YOSHIOKA, Ricardo Toshinori. Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs. 2001. 230 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/261260>. Acesso em: 1 ago. 2018.
2. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261260

Tags

Transistores bipolares

Epitaxia por feixe molecular

Crescimento

Carbono

Berilio

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/261260
Date	01 August 2018
Creators	Yoshioka, Ricardo Toshinori
Contributors	UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Swart, Jacobus Willibrordus, 1950-
Publisher	[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação
Source Sets	IBICT Brazilian ETDs
Language	Portuguese
Detected Language	Portuguese
Type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Format	230 p. : il., application/pdf
Source	reponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rights	info:eu-repo/semantics/openAccess