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Untersuchung der prozessabhängigen Ladungsträgerrekombination an Versetzungen in Siliziumsolarzellen

Die Dissertation demonstriert ein Verfahren zur Messung der normalisierten Rekombinationsstärke (Gamma) von Versetzungen in blockerstarrten Siliziumsolarzellen. Es basiert auf der topografischen Messung der internen Quanteneffizienz IQE und der Versetzungsdichte. Unter Verwendung des theoretischen Modells von Donolato und Simulationen mit dem Programm PC1D werden für einzelne Versetzungscluster aus dem gemessenen Zusammenhang zwischen der IQE und der Versetzungsdichte die Gamma-Werte bestimmt. Zur Messung der Versetzungsdichte wurden neue Methoden der automatischen Bildanalyse zur Erkennung von angeätzten Kristalldefekten mit dem Computer entwickelt. Die in den Solarzellen gemessenen Gamma-Werte variieren über ca. eine Größenordnung innerhalb weniger Millimeter. Regelmäßig angeordnete Versetzungen haben kleinere Gamma-Werte gegenüber ungeordneteren Verteilungen. Der Gamma-Wert korreliert signifikant mit den Prozesstemperaturen bei der Solarzellherstellung. Es wird gezeigt, in welcher Weise eine Remote-Plasma-Wasserstoffpassivierung die lokale IQE und die Gamma-Werte beeinflusst.

Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa.de:swb:105-6884856
Date14 July 2009
CreatorsRinio, Markus
ContributorsTU Bergakademie Freiberg, Chemie und Physik, Prof. Dr. Hans Joachim Möller, Prof. Dr. Hans Joachim Möller, Prof. Dr. Roland Schindler, Dr. habil. Otwin Breitenstein
PublisherTechnische Universitaet Bergakademie Freiberg Universitaetsbibliothek "Georgius Agricola"
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
Languagedeu
Detected LanguageGerman
Typedoc-type:doctoralThesis
Formatapplication/pdf

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