In dieser Arbeit wurden tiefe Zentren in p-leitendem
Zinkselenid mittels Kapazitaetstransientenspektroskopie
untersucht. Es wurden Au/p-ZnSe/p-GaAs-Schichtstrukturen
verwendet
Mit Strom-Spannungs- und Kapazitaets-Spannungs-Messungen
erfolgte eine Vorcharakterisierung der Proben. Dies lieferte
Aussagen zu den bei kleinen Spannungen wirkenden Barrieren
des Schottky-Kontaktes und des Hetero¨uberganges und die
Bandkantenoffsets. Die effektiven Akzeptorkonzentrationen
im p-ZnSe wurden bestimmt.
Mit der DLTS wurden vier Loecher-Haftstellen in den
p-ZnSe-Schichten gefunden. Ihre thermischen
Aktivierungsenergien waren 0,40eV, 0,62eV, 0,83eV und
0,65eV.
Die Konzentration des tiefen Zentrums HT nimmt bei Temperung ¨uber 450~K
zu; moeglicherweise aufgrund einer Eindiffusion des als
Schottky-Kontakt dienenden Goldes.
Einfangmessungen fuer das Zentrum HT ergaben einen thermisch
aktivierten Einfang mit Multiphononenemission bei einer
Einfangbarriere von 0,46eV. Die Entropieaenderung bei der
Emission aus dem Zentrum HT wurde bestimmt. Die Emission aus
dem Zentrum HT laeuft schneller als der Einfang ab.
Moegliche Gruende dafuer werden diskutiert.
Mit Isothermalen Kapazitaetstransienten-Messungen und
Spannungsvariationen wurde das Emissionsverhalten des
tiefen Zentrums HT weitergehend untersucht.
Transparente Gold-Kontakte gestatteten eine Beeinflussung
der Emissionstransienten mittels Lichteinstrahlung durch
den Schottky-Kontakt.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa.de:bsz:ch1-199700186 |
| Date | 10 April 1997 |
| Creators | Hellig, Kay |
| Contributors | TU Chemnitz, Fakultät für Naturwissenschaften |
| Publisher | Universitätsbibliothek Chemnitz |
| Source Sets | Hochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden |
| Language | deu |
| Detected Language | German |
| Type | doc-type:masterThesis |
| Format | application/pdf, application/postscript, text/plain, application/zip |
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