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Interface Charge Engineering in AlGaN/GaN Heterostructures for GaN Power Devices / AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの特性改善に向けた界面電荷制御

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第22072号 / 工博第4653号 / 新制||工||1725(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 川上 養一, 准教授 杉山 和彦 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DGAM

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/244553
Date24 September 2019
CreatorsNakazawa, Satoshi
Contributors木本, 恒暢, 川上, 養一, 杉山, 和彦, 中澤, 敏志, ナカザワ, サトシ
PublisherKyoto University, 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageEnglish
Detected LanguageEnglish
Typedoctoral thesis, Thesis or Dissertation
Formatapplication/pdf
Rights学位規則第9条第2項により要約公開, 許諾条件により要約は2020-09-23に公開

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