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Entwurf, Herstellung und Charakterisierung von GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistoren für Leistungsanwendungen im GHz-Bereich

High Electron Mobility Transistoren (HEMTs),
basierend auf
dem Materialsystem GaN/AlGaN/GaN, wurden entworfen,
hergestellt und elektrisch charakterisiert.
Für das Maskendesign kam das CAD-Programm LasiCAD
zum Einsatz. Das Design umfasste bis zu sechs
Lithographieebenen.
Die Herstellung der Bauelemente geschah unter
Reinraumbedingungen und unter Nutzung einer
vorhandenen Technologie für Transistoren mit
kleiner Gate-Peripherie (Doppelgate-Transistoren),
die teilweise optimiert wurde. Daneben wurden
Prozesse zur Herstellung von Multifinger-HEMTs
entwickelt, wobei die Metallisierung der
Drainkontakte mittels Electroplating von Gold
vorgenommen wurde.
Zur elektrischen Charakterisierung der
Bauelemente wurden sowohl
Gleichstromcharakteristiken,
d.h. die Ausgangskennlinienfelder und
Verläufe der Steilheit, als auch das
Großsignalverhalten für cw-Betrieb bei 2 GHz
gemessen. Dabei zeigten die Transistoren
eine auf die Gatebreite bezogene
Ausgangsleistungsdichte
von mehr als 8 W/mm
und eine Effizienz größer als 40%,
einhergehend mit vernachlässigbarer
Drainstromdispersion der unpassivierten
Bauelemente.

Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:18441
Date28 December 2005
CreatorsWächtler, Thomas
ContributorsWeimann, Nils, Manfra, Michael
PublisherTechnische Universität Chemnitz, Lucent Technologies - Bell Laboratories
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
LanguageGerman
Detected LanguageGerman
Typedoc-type:workingPaper, info:eu-repo/semantics/workingPaper, doc-type:Text
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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