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Breakdown Characteristics in SiC and Improvement of PiN Diodes toward Ultrahigh-Voltage Applications / 超高耐圧応用を目指したSiCにおける絶縁破壊特性の基礎研究およびPiNダイオードの高性能化

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第19722号 / 工博第4177号 / 新制||工||1644(附属図書館) / 32758 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 髙岡 義寛, 教授 山田 啓文 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/215548
Date23 March 2016
CreatorsNiwa, Hiroki
Contributors木本, 恒暢, 髙岡, 義寛, 山田, 啓文, 丹羽, 弘樹, ニワ, ヒロキ
Publisher京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageEnglish
Detected LanguageEnglish
Typedoctoral thesis, Thesis or Dissertation
Formatapplication/pdf
Rights許諾条件により本文は2017-03-23に公開

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