Effects of Potential Modulations on Optical Gain Properties in InGaN-based Green Laser Diodes / InGaN緑色レーザダイオードの光学利得特性におけるポテンシャル変調の効果

Description

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第18281号 / 工博第3873号 / 新制||工||1594(附属図書館) / 31139 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 川上 養一, 教授 藤田 静雄, 准教授 須田 淳 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

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1. http://hdl.handle.net/2433/188594
2. 14301甲第18281号
3. 10.14989/doctor.k18281
4. 14301

Tags

Nitride-based Semiconductors

Green Laser Diodes

Optical Gain

Carrier Localization

Piezoelectric Fields

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/188594
Date	24 March 2014
Creators	Kim, Yoon Seok
Contributors	川上, 養一, 藤田, 静雄, 須田, 淳, 金, 潤碩, キム, ユンソク
Publisher	京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	English
Detected Language	English
Type	doctoral thesis, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf
Rights	許諾条件により本文は2014-10-01に公開