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Fundamental Study on Carrier Recombination Processes in AlGaN-related Materials and their Structural Designs toward Highly Efficient Deep-UV Emitters / 深紫外発光素子の高効率化にむけたAlGaN系半導体の結晶成長とキャリア再結合過程に関する研究

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第20383号 / 工博第4320号 / 新制||工||1669(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 川上 養一, 教授 藤田 静雄, 教授 木本 恒暢 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/225608
Date23 March 2017
CreatorsIchikawa, Shuhei
Contributors川上, 養一, 藤田, 静雄, 木本, 恒暢, 市川, 修平, イチカワ, シュウヘイ
Publisher京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageEnglish
Detected LanguageEnglish
Typedoctoral thesis, Thesis or Dissertation
Formatapplication/pdf
Rights許諾条件により本文は2018-03-23に公開

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