Enhancement of Carrier Lifetimes in SiC and Fabrication of Bipolar Junction Transistors / SiCのキャリア寿命向上およびバイポーラトランジスタの作製

Description

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第19312号 / 工博第4109号 / 新制||工||1633(附属図書館) / 32314 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 引原 隆士, 准教授 船戸 充 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

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1. http://hdl.handle.net/2433/202717
2. 14301甲第19312号
3. 10.14989/doctor.k19312
4. 14301

Tags

Silicon Carbide

Carrier lifetime

Deep level

Surface passivation

Bipolar junction transistor

High blocking voltage

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/202717
Date	24 September 2015
Creators	Okuda, Takafumi
Contributors	木本, 恒暢, 引原, 隆士, 船戸, 充, 奥田, 貴史, オクダ, タカフミ
Publisher	京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	English
Detected Language	English
Type	doctoral thesis, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf
Rights	学位規則第9条第2項により要約公開, 許諾条件により要約は2016-06-20に公開, 許諾条件により本文は2019-09-30に公開