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Projeto de dispositivo supressor de surto de tensão / Design of voltage surge protective device

Orientador: Jacobus Willibrordus Swart / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-06T23:47:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1
Orio_RobertoLacerdade_M.pdf: 1305384 bytes, checksum: e0e89b803f3ba5496d25f456a5f047dd (MD5)
Previous issue date: 2006 / Resumo: Este trabalho tem como objetivo o projeto de um dispositivo supressor de surto de tensão para aplicação na proteção de equipamentos de telecomunicações. O projeto foi realizado com a utilização de programas de simulação. Os diversos parâmetros físicos, como dopagens e dimensões, assim como estruturas com e sem emitter-shorts foram estudadas para o entendimento da sua influência na operação do dispositivo supressor e estabelecer em que condições o seu melhor desempenho é obtido. Com base nos resultados adquiridos foi desenvolvido um processo de fabricação suficientemente simples para se aplicar em linha de produção. O dispositivo final proposto apresentou uma tensão de breakover de 250 V quando submetido a um pulso de corrente de 100 Alcm2. Após o chaveamento, a distribuição mais uniforme da densidade de corrente foi observada para uma estrutura com emitter-shorts não-centralizados em relação à área dos emissores do dispositivo / Abstract: This work intends to design a voltage surge suppressor device for telecommunications equipments. The project was conducted with the help of simulation tools. The physical parameters like dopings and dimensions, as well as structures with and without emitter­ shorts were studied in order to understand their influence on the device behavior and to establish in which conditions its best performance is obtained. Based on these simulation results, a simple fabrication process for line production was developed. The final device presented a breakover voltage of 250 V when a current pulse of 100 Alcm2 was applied. After the device turn-on the most uniform distribution of current density was observed for a structure with emitter-shorts non-centralized on the emitter device area / Mestrado / Eletrônica, Microeletrônica e Optoeletrônica / Mestre em Engenharia Elétrica

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/259233
Date17 August 2006
CreatorsOrio, Roberto Lacerda de, 1981-
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Swart, Jacobus Willibrordus, 1950-, Diniz, José Alexandre, Boudinov, Henri Ivanov, Tatsch, Peter Jürgen
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format98f. : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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