[pt] Dicalcogenetos de metais de transição, como dissulfeto de molibdênio,
disseleneto de tungstênio, entre outros exibem muitas propriedades interessantes
que fazem os materiais desta família boas perspectivas para aplicações futuras,
especialmente em diversas applicações da optoeletrônica, desde telecomunicações
até medicina, devido à interessante transição de gap de banda indireta para direta
que ocorre quando se isola uma única camada destes materiais. Um dos objetivos
desta tese é: explorando essa propriedade e modificando a estrutura da dissulfeto
de tungstênio usando um método simples e confiável de modificação estrutural,
pode-se aprimorar as propriedades dos materiais de forma eficiente, bem como
desenvolver novas maneiras de caracterizar esse material e suas modificações, em
particular, a determinação de um parâmetro chave para aplicações de WS2, o
número de camadas, usando espectroscopia Raman. Neste caso, o tratamento de
plasma melhorou a intensidade de fotoemissão em 34 por cento além de p-dopar os cristais
monocamada, abrindo portas para a realização de dispositivos baseados em WS2.
Além disso, desenvolvemos um método de discriminação de monocamadas que é
independente de tensão aplicada, modificação strutural ou dopagem. / [en] Transition metal dichalcogenides, such as molybdenum disulfide, tungsten
disulfide, and others exhibit many interesting properties. Such properties make
them good prospects for future applications, especially in optoelectronics. From
telecommunication to medicine, due to the interesting indirect-to-direct band-gap
transition, one isolates a single layer of the material. One of the goals of this thesis
is to modify the structure of tungsten disulfide using a simple, reliable, structural
modification approach, i.e., plasma treatment. In this way, we were able to enhance
the materials luminescence emission intensity up to 34 percent. Also, this treatment pdoped
the monolayer structures, opening doors for the realization of devices.
Another objective of this work is to develop new ways to characterize this material,
particularly the determination of a critical parameter for WS2 applications, the
number of layers, using Raman spectroscopy, where we developed a efficient
method to discriminate monolayers independently of induced strain, structure
modification and doping.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:puc-rio.br/oai:MAXWELL.puc-rio.br:51287 |
| Date | 19 January 2021 |
| Creators | ANDRE DO NASCIMENTO BARBOSA |
| Contributors | FERNANDO LAZARO FREIRE JUNIOR |
| Publisher | MAXWELL |
| Source Sets | PUC Rio |
| Language | English |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | TEXTO |
Page generated in 0.0025 seconds