The present work is dedicated to the development of high performance integrated circuits for wireless communications, by acting of three different levels: technologies, devices, and circuits.
Silicon-on-Insulator (SOI) CMOS technology is used in the frame of this work. Micromachining technologies are also investigated for the fabrication of three-dimensional tunable capacitors. The reliability of micromachined thin-film devices is improved by the coating of silanes in both liquid- and vapor-phases.
Since in telecommunication applications, distortion is responsible for the generation of spurious frequency bands, the linearity behavior of different SOI transistors is analyzed. The validity range of the existing low-frequency nonlinear characterization methods is discussed. New simple techniques valid at both low- and high-frequencies, are provided, based on the integral function method and on the Volterra series.
Finally, the design of a crucial nonlinear circuit, the voltage-controlled oscillator, is introduced. The describing function formalism is used to evaluate the oscillation amplitude and is embedded in a design methodology. The frequency tuning by SOI varactors is analyzed in both small- and large-signal regimes.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:BICfB/oai:ucl.ac.be:ETDUCL:BelnUcetd-12022004-154457 |
| Date | 10 December 2004 |
| Creators | Parvais, Bertrand J. H. |
| Publisher | Universite catholique de Louvain |
| Source Sets | Bibliothèque interuniversitaire de la Communauté française de Belgique |
| Language | English |
| Detected Language | English |
| Type | text |
| Format | application/pdf |
| Source | http://edoc.bib.ucl.ac.be:81/ETD-db/collection/available/BelnUcetd-12022004-154457/ |
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