Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Modellerstellung und
Technologie eines gravimetrischen Gassensors für organische Gase. Die
Besonderheit liegt in dem verwendeten Resonatortyp. Es handelt sich um einen
lateral elektrostatisch angeregten quadratischen Plattenresonator, der mit
einer Rezeptorschicht versehen wird. Mit Hilfe von FEM-Berechnungen werden die
Eigenfrequenzen und Eigenformen berechnet. Für die untersuchte Lamé- und
Square-Mode wird die Sensorgüte unter Berücksichtigung des
"Squeeze-Film-Damping" sowie der viskoelastischen Rezeptorschichteigenschaften
bestimmt. Die Sensormoden werden durch ein Feder-Masse-Modell mit einem
Freiheitsgrad modelliert und durch ein elektrisches Ersatzschaltbild
repräsentiert. Die berechneten Nachweisgrenzen für Oktan und Toluol bei
6-facher Rauschgrenze liegen im zweistelligen ppb-Bereich. Für die
technologische Umsetzung werden SOI-Wafer verwendet. Die ≤ 100 nm betragenden
Spaltbreiten zwischen Elektroden und Resonator werden durch das RIE-Ätzen von
Siliziumgräben mit senkrechten Seitenwänden, der Abscheidung von SiO2 als
Opferschicht und dem Füllen der Gräben mit hochdotiertem Polysilizium
hergestellt. Die Kontaktierung der Resonatoren erfolgt über einen leitenden
Stamm, der aufgrund von selbstjustierenden Prozessen die Resonatorplatte
zentriert einspannt. / The following work is concerned with the modelling and fabrication technology of a gravimetric sensor for volatile organic compounds (VOC). Novelty is the combination of a lateral electrostatic driven square plate resonator with a gas sensitive detection layer. The eigenfrequencies and -modes are calculated with FEM simulations. Especially suited for gas sensors are the Lamé- and Square eigenmodes which are studied more closely. The quality factor is determined considering "squeeze film damping" and the viscoelastic properties of the gas sensitive detection layer. To present the sensor oscillation modes a spring mass model with one degree of freedom is determined and extended by an equivalent circuit diagram. The calculated limits of detections for octane and toluene are in the binary ppb-range, working with six times the limit of frequency noise. SOI-wafers are the base material for the sensor process flow. Electrode gaps ≤100 nm, essential for the electrostatic drive, are fabricated by RIE-etching vertical trenches into the device layer down to the buried oxide and by depositing a silicon dioxide as sacrifical layer and by refilling the trenches with highly doped polysilicon. The electrical contact of the resonator plate is ensured through an electrical conducting polysilicon stem. The developed process flow enables a self alignment ot the stem, clamping the plate centered.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa.de:bsz:ch1-201000101 |
| Date | 25 February 2010 |
| Creators | Grahmann, Jan |
| Contributors | TU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik, Prof. Dr.-Ing. Wolfram Dötzel, Dr.-Ing. Arno Steckenborn, Prof. Dr.-Ing. Wolfram Dötzel, Prof. Dr. Dr. Prof. h.c.mult. Thomas Geßner, Dr.-Ing. Arno Steckenborn |
| Publisher | Universitätsbibliothek Chemnitz |
| Source Sets | Hochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden |
| Language | deu |
| Detected Language | German |
| Type | doc-type:doctoralThesis |
| Format | application/pdf, text/plain, application/zip |
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