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Untersuchung tiefer Stoerstellen in Zinkselenid

Description

Das Halbleitermaterial Zinkselenid (ZnSe) wurde mit Deep
Level Transient Spectroscopy (DLTS) untersucht. Fuer planar
N-dotierte, MO-CVD-gewachsene ZnSe-Schichten auf p-GaAs
wurden vorwiegend breite Zustandsverteilungen, aber auch
tiefe Niveaus gefunden. In kristallin gezuechtetem,
undotiertem ZnSe wurden tiefe Stoerstellen nachgewiesen.

Links & Downloads
  1. urn:nbn:de:bsz:ch1-199700176
  2. https://monarch.qucosa.de/id/qucosa%3A17346
  3. https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A17346/attachment/ATT-0/
  4. https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A17346/attachment/ATT-1/
  5. https://monarch.qucosa.de/api/qucosa%3A17346/attachment/ATT-2/
Tags
info:eu-repo/classification/ddc/530
ddc:530
DLTS
Zinkselenid
Defekte
Stoerstellen
tiefe Zentren
Deep Level Transient Spectroscopy
ZnSe
Additional Fields
Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:17346
Date28 March 1997
CreatorsHellig, Kay
ContributorsTechnische Universität Chemnitz
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
LanguageGerman
Detected LanguageGerman
Typedoc-type:StudyThesis, info:eu-repo/semantics/StudyThesis, doc-type:Text
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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