Return to search

Efeito de bolhas e de transporte na morfologia do silício corroído anisotropicamente.

Esta tese descreve um estudo da corrosão anisotrópica do silício monocristalino em solução de KOH. As superfícies sendo corroídas foram observadas em tempo real com um vídeo-microscópio, e foram medidos parâmetros Tb e Ram de bolhas produzidas na reação para correlacionar com a respectiva rugosidade resultante. O objetivo dessas medidas foi testar experimentalmente um modelo que atribui a maior parte da rugosidade ao mascaramento aleatório das superfícies por bolhas aderidas. Em alguns experimentos foi adicionado K3Fe(CN)6 às soluções de KOH para investigar o efeito desse aditivo nos parâmetros de bolhas e na rugosidade resultante da superfície corroída. Também foram feitas corrosões eletroquímicas para testar o efeito do potencial externo sobre as bolhas e as superfícies corroídas. A observação em tempo real também permitiu investigar as ocorrências, em corrosões de silício nas quais a ponta de um fio de platina foi mantida encostada, ou perto da superfície sendo corroída, para verificar se o aumento da velocidade de corrosão, observado nessas circunstâncias, é devido, talvez, ao aprisionamento de bolhas na ponta do fio. Os resultados deste trabalho mostram que os parâmetros de bolhas Tb e Ram assim como a rugosidade resultante das superfícies corroídas tendem a diminuir com o aumento da concentração de KOH na solução e com o aumento da temperatura. Isto mostra que a relação entre rugosidade e bolhas existe, como sugerido pelos autores da referência [6]. No entanto a simples diminuição dos parâmetros de bolhas não é suficiente para garantir superfície corroída com baixa rugosidade. Deve-se considerar a quantidade de bolhas produzidas na superfície. Poucas bolhas não significa que a superfície corroída estará ausente de marcas, pois nos espaços onde não há formação de bolhas pode haver formação de pirâmides que deixam a superfície corroída com rugosidade bastante elevada. A adição de K3Fe(CN)6 às soluções de KOH ou o uso de potencial anódico no silício suprime a formação dessas pirâmides.

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:agregador.ibict.br.BDTD_ITA:oai:ita.br:2557
Date00 December 2001
CreatorsAlvimar da Silveira Louro
ContributorsJosé Roberto Sbragia Senna
PublisherInstituto Tecnológico de Aeronáutica
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Formatapplication/pdf
Sourcereponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA, instname:Instituto Tecnológico de Aeronáutica, instacron:ITA
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

Page generated in 0.0019 seconds