In dieser Arbeit werden Ergebnisse zur
reaktiven epitaktischen Schichtabscheidung
von CoSi$_2$ auf Si(001)-basierten epitaktischen
Heterostrukturen präsentiert. Während der
Abscheidung wurde Reflexionsbeugung
hochenergetischer Elektronen (RHEED) zur in situ
Charakterisierung der Oberfläche eingesetzt.
Mit Hilfe eines Computerprogrammes zur
kinematischen Simulation von
RHEED-Beugungsdiagrammen konnten die aufgenommenen
Beugungsbilder von A- und B-Typ-CoSi$_2$
interpretiert werden. Aus weiteren Analysen
(XRD, RBS, XRR, TEM, TED)
ergab sich, daß sich bei tiefen
Substrattemperaturen CoSi$_2$-Schichten
bilden, die A- und B-Typ-CoSi$_2$ enthalten.
Schichten, die bei hohen Temperaturen gefertigt
wurden, weisen nur A-Typ CoSi$_2$ auf.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa.de:bsz:ch1-199900479 |
| Date | 30 August 1999 |
| Creators | Rau, Ingolf |
| Contributors | TU Chemnitz, Fakultät für Naturwissenschaften |
| Publisher | Universitätsbibliothek Chemnitz |
| Source Sets | Hochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden |
| Language | deu |
| Detected Language | German |
| Type | doc-type:masterThesis |
| Format | application/pdf, application/postscript, text/plain, application/zip |
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