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Technologie und pysikalische Eigenschaften strahlungsinduzierter Zentren in Silizium

Die Arbeit beschäftigt sich mit der Erzeugung und den Eigenschaften strahlungsinduzierter Defekte in Silizium. Zur Erzeugung der untersuchten Zentren werden Wasserstoff- und Helium-Ionenstrahlen im MeV-Bereich verwendet. Die Untersuchung erfolgt mittels Spreading-Resistance- und temperaturabhängiger Hall-Messungen.
Betrachtet wird zunächst die Erzeugung einer n-Dotierung durch Wasserstoff-Implantation in Abhängigkeit von Implantationsparametern, - bedingungen und dem Ausheilprozess.
Für Helium-bestrahltes Silizium werden die Auswirkungen der Bestrahlung auf Widerstand, Ladungsträgerkonzentration und Beweglichkeit untersucht.

Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa.de:bsz:ch1-qucosa-82228
Date24 January 2012
CreatorsKlug, Jan N.
ContributorsTU Chemnitz, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik, Prof. Dr.-Ing. Josef Lutz, Prof. Dr.-Ing. Josef Lutz, Prof. Dr. rer.nat. Andreas Wieck
PublisherUniversitätsbibliothek Chemnitz
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
Languagedeu
Detected LanguageGerman
Typedoc-type:doctoralThesis
Formatapplication/pdf, text/plain, application/zip

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