Das Halbleitermaterial Zinkselenid (ZnSe) wurde mit Deep
Level Transient Spectroscopy (DLTS) untersucht. Fuer planar
N-dotierte, MO-CVD-gewachsene ZnSe-Schichten auf p-GaAs
wurden vorwiegend breite Zustandsverteilungen, aber auch
tiefe Niveaus gefunden. In kristallin gezuechtetem,
undotiertem ZnSe wurden tiefe Stoerstellen nachgewiesen.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa.de:bsz:ch1-199700176 |
| Date | 28 March 1997 |
| Creators | Hellig, Kay |
| Contributors | TU Chemnitz, Fakultät für Naturwissenschaften |
| Publisher | Universitätsbibliothek Chemnitz |
| Source Sets | Hochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden |
| Language | deu |
| Detected Language | German |
| Type | doc-type:StudyThesis |
| Format | application/pdf, application/postscript, text/plain, application/zip |
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