Das Halbleitermaterial Zinkselenid (ZnSe) wurde mit Deep
Level Transient Spectroscopy (DLTS) untersucht. Fuer planar
N-dotierte, MO-CVD-gewachsene ZnSe-Schichten auf p-GaAs
wurden vorwiegend breite Zustandsverteilungen, aber auch
tiefe Niveaus gefunden. In kristallin gezuechtetem,
undotiertem ZnSe wurden tiefe Stoerstellen nachgewiesen.
Identifer | oai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:17346 |
Date | 28 March 1997 |
Creators | Hellig, Kay |
Contributors | Technische Universität Chemnitz |
Source Sets | Hochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden |
Language | German |
Detected Language | German |
Type | doc-type:StudyThesis, info:eu-repo/semantics/StudyThesis, doc-type:Text |
Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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