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Controle de propriedades de filmes finos de óxido de alumínio através da assistência de feixe iônico / Controlling aluminum oxide thin films properties through ion beam assistance.

Este trabalho tem por objetivo a caracterização de filmes finos de óxido de alumínio produzidos por deposição assistida por feixe de íons Ar+. Tal caracterização consiste em estabelecer a relação entre os parâmetros de produção (energia do feixe e uxo relativo de Ar), a composição e a estrutura dos lmes. Para tanto, utiliza-se técnicas de microscopia de força atômica, difração de raios-x, reetividade de raios-x e análise por feixe iônico. Resultados mostram que amostras produzidas à temperatura ambiente e à 450 oC são amorfas independentemente da energia do feixe iônico. Filmes formados com assistência de feixe possuem qualidade superior àqueles formados por deposição física de vapor. O bombardeamento de íons Ar+ mostra-se capaz de controlar a concentração de hidrogênio, a estequiometria, a rugosidade, o tamanho dos grãos e a densidade dos lmes nos. Amostras com excelente qualidade baixa rugosidade, estequiometria próxima da ideal e boa densidade foram produzidas utilizando íons com energia dentre 300 eV e 600 eV. / The scope of this work is the characterization of aluminum oxide thin films produced by Ar+ ion beam assisted deposition. This characterization consists in establishing the relationship between production parameters (ion beam energy and argon relative ux), structure and composition of these lms. In order to undertake this task, the following techniques were used: atomic force microscopy, x-ray diraction, x-ray reectivity and ion beam analysis. Results show that samples produced at room temperature and at 450 oC are amorphous regardless the ion beam energy. Films grown under ion assistance have better characteristics than the ones deposited by physical vapor deposition. The ion beam bombardment is capable of controlling hydrogen concentration, stoichiometry, roughness, grain size and density of alumina samples. High quality lms at surface and increased density lms with near ideal stoichiometry were produced with 300 eV and 600 eV ion beam energy.

Identiferoai:union.ndltd.org:usp.br/oai:teses.usp.br:tde-03062017-212721
Date28 April 2017
CreatorsSantos, Thales Borrely dos
ContributorsChubaci, Jose Fernando Diniz
PublisherBiblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Source SetsUniversidade de São Paulo
LanguagePortuguese
Detected LanguageEnglish
TypeDissertação de Mestrado
Formatapplication/pdf
RightsLiberar o conteúdo para acesso público.

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