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Enhancement of Carrier Lifetimes in SiC and Fabrication of Bipolar Junction Transistors / SiCのキャリア寿命向上およびバイポーラトランジスタの作製

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第19312号 / 工博第4109号 / 新制||工||1633(附属図書館) / 32314 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 引原 隆士, 准教授 船戸 充 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/202717
Date24 September 2015
CreatorsOkuda, Takafumi
Contributors木本, 恒暢, 引原, 隆士, 船戸, 充, 奥田, 貴史, オクダ, タカフミ
Publisher京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageEnglish
Detected LanguageEnglish
Typedoctoral thesis, Thesis or Dissertation
Formatapplication/pdf
Rights学位規則第9条第2項により要約公開, 許諾条件により要約は2016-06-20に公開, 許諾条件により本文は2019-09-30に公開

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