A Study on Plasma Process-Induced Damage during Fabrication of Si Devices and Methodology for Optical Measurement / Siデバイス製造過程におけるプラズマプロセス誘起ダメージとその光学的測定方法論の研究

Description

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第17788号 / 工博第3767号 / 新制||工||1576(附属図書館) / 30595 / 京都大学大学院工学研究科航空宇宙工学専攻 / (主査)教授 斧 髙一, 教授 木村 健二, 教授 立花 明知 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

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1. http://hdl.handle.net/2433/179357
2. 14301甲第17788号
3. 10.14989/doctor.k17788
4. 14301

Tags

Plasma etching

Plasma process-induced damage

Silicon devices

Spectroscopic ellipsometry

Photoreflectance spectroscopy

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/179357
Date	23 May 2013
Creators	Matsuda, Asahiko
Contributors	斧, 髙一, 木村, 健二, 立花, 明知, 松田, 朝彦, マツダ, アサヒコ
Publisher	京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	English
Detected Language	English
Type	doctoral thesis, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf
Rights	許諾条件により要旨・本文は2014-05-22に公開