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Festphasenreaktionen metallischer Doppelschichten mit Silicium

In dieser Arbeit wurde der Einfluss dünner Siliciumdioxidschichten
auf die im Co(20 nm)/Ti(5 nm)/SiO$_{2}$(0...3 nm)/Si(100) System,
bei einer Kurzzeittemperung, ablaufenden Festphasenreaktionen
untersucht. Weiterhin wurden Festphasenreaktionen an Co/C/Si(100)
und Ti/Co/C/Si(100) Schichtsystemen untersucht. Plasmaätzprozesse
wurden zur Entfernung der, im Co/Ti/Si-System nach Temperung
entstehenden, reaktionsbedingten Deckschicht verwendet.
Die Charakterisierung der Proben erfolgte mittels elektrischer Messungen,
TEM, STM, XRD, RBS und AES.

Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:17575
Date10 November 1999
CreatorsHortenbach, Heiko
ContributorsTechnische Universität Chemnitz
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
LanguageGerman
Detected LanguageGerman
Typedoc-type:masterThesis, info:eu-repo/semantics/masterThesis, doc-type:Text
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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