Novel molecular ion implantation technology for proximity gettering in silicon wafer for CMOS image sensor / CMOSイメージセンサ用Siウェーハにおける近接ゲッタリングのための新規分子イオン注入技術

Description

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第22442号 / 工博第4703号 / 新制||工||1734(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科原子核工学専攻 / (主査)教授 斉藤 学, 教授 神野 郁夫, 准教授 松尾 二郎 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

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1. http://hdl.handle.net/2433/253278
2. 14301甲第22442号
3. 10.14989/doctor.k22442
4. 14301

Tags

proximity gettering technology

silicon wafer

molecular ion implantation

CMOS image sensor

ion implantation defect

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/253278
Date	23 March 2020
Creators	Hirose, Ryo
Contributors	斉藤, 学, 神野, 郁夫, 松尾, 二郎, 廣瀬, 諒, ヒロセ, リョウ
Publisher	Kyoto University, 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	English
Detected Language	English
Type	doctoral thesis, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf
Rights	題目　：Proximity gettering of silicon wafers using CH3O multielement molecular ion implantation technique 掲載論文誌：Japanese Journal of Applied Physics DOI:/10.7567/JJAP.57.096503. 題目　：Proximity gettering technique using CH3O multielement molecular ion implantation for white spot defect density reduction in CMOS image sensor 掲載論文誌：Japanese Journal of Applied Physics DOI:10.7567/1347-4065/ab4fc9. 題目　：Effect of ramping up rate on end of range defect in multielement molecular-ion (CH3O)-implanted silicon wafers 掲載論文誌：Japanese Journal of Applied Physics DOI:10.7567/1347-4065/ab358b
Relation	https://doi.org/10.7567/JJAP.57.096503, https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab4fc9, https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab358b