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Avaliação dos parâmetros dosimétricos em feixes de Fótons de Radioterapia usando fototransistor SMT

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Previous issue date: 2008 / Fundação de Amparo à Ciência e Tecnologia do Estado de Pernambuco / Um dos grandes desafios na dosimetria em radioterapia é garantir que a dose prescrita pelo radioterapeuta seja realmente a depositada no paciente. Para isso, cada vez mais é necessário o uso de detectores pequenos para avaliação dos parâmetros dos feixes. A dosimetria atual é feita utilizando detectores que apresentam diversos inconvenientes: alto custo, dificuldade de manuseio, não realização da leitura em tempo real, processo de obtenção da dose demorado e complexo. Portanto, um sistema alternativo tem sido sugerido através da utilização de detectores menores, baseado na tecnologia de semicondutores. Nesse trabalho, o fototransistor OP520 foi proposto para avaliar a dose e os parâmetros dosimétricos dos feixes de qualidade 6 MV de um acelerador linear. Inicialmente, foi feita a caracterização do fototransistor em laboratório e no hospital, posicionando-o num simulador plástico. Ao detector estavam ligados um eletrômetro desenvolvido no laboratório e um computador de instrumentação, completando o sistema dosimétrico. Para leitura da dose em tempo real, foi desenvolvido um programa computacional que controlava o eletrômetro. Percebeu-se que se conhecendo o comportamento do detector em relação à dose acumulada, encontra-se um fator de proporcionalidade que foi usado na estimativa da dose ao qual o fototransistor esteve submetido. Os resultados mostraram que as medidas da dose acumulada com o fototransistor estão dentro dos ±5% requeridos em protocolos internacionais. Em seguida, o dispositivo foi utilizado no acelerador linear para avaliar sua linearidade de resposta com a dose acumulada, que apresentou respostas com coeficientes de correlação maiores que 0,95. Contudo, os resultados mostraram que ele apresenta dependência com a taxa de dose e alta dependência angular. Na avaliação dos parâmetros dosimétricos, a medição do fator campo com o fototransistor que foi realizada, mostrou boa concordância com os valores obtidos com a câmara Markus, usada como referência. Os perfis dos campos utilizados foram medidos varrendo os campos em intervalos de 5,0 mm, mostrando que o fototransistor OP520 apresenta alta resolução espacial. Nas medidas em profundidade, tem-se que o fototransistor OP520 descreve bem a região de equilíbrio eletrônico, embora devido à perda de sensibilidade para maiores profundidades ele apresente resposta menor que a câmara de ionização

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.ufpe.br:123456789/9801
Date31 January 2008
CreatorsSILVA, Jonas Oliveira da
ContributorsANTONIO FILHO, João
PublisherUniversidade Federal de Pernambuco
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Sourcereponame:Repositório Institucional da UFPE, instname:Universidade Federal de Pernambuco, instacron:UFPE
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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