Improvement of ON-Characteristics in SiC Bipolar Junction Transistors by Structure Designing Based on Analyses of Material Properties and Carrier Recombination / 材料物性およびキャリア再結合の解析に基づいたデバイス構造考案による SiCバイポーラトランジスタのオン特性向上

Description

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第21772号 / 工博第4589号 / 新制||工||1715(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 杉山 和彦 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

Links & Downloads

1. http://hdl.handle.net/2433/242510
2. 14301甲第21772号
3. 10.14989/doctor.k21772
4. 14301

Tags

Silicon Carbide

Bipolar junction transistors

p-type SiC

Current gain

ON-resistance

Conductivity modulation

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/242510
Date	25 March 2019
Creators	Asada, Satoshi
Contributors	木本, 恒暢, 藤田, 静雄, 杉山, 和彦, 浅田, 聡志, アサダ, サトシ
Publisher	Kyoto University, 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	English
Detected Language	English
Type	doctoral thesis, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf
Rights	許諾条件により本文は2020-03-23に公開