Pour le développement des nœuds technologiques 14 nm et en-deçà, la technologie planaire Fully Depleted Silicon-On-Isolator implémente des sources et drains (S&D) en Si1-xGex épitaxiés pour augmenter la mobilité des trous par induction d'une contrainte compressive dans le canal p-MOS. Le procédé de siliciuration auto-alignée est utilisé pour contacter les S&D avant le dépôt du diélectrique du premier niveau de contact. Cependant, le procédé de germanosiliciuration des S&D reste un défi majeur. En effet, le germanosiliciure de Ni souffre de la partition de Ge et de l'agglomération du film dès 400 °C qui dégradent irréversiblement les performances du transistor. La stabilité morphologique des siliciures de Ni a été considérablement améliorée par l'utilisation d'un alliage Ni1-yPty sur Si. Cependant, pour le système quaternaire Ni-Pt-Si-Ge, ainsi que pour les films ultra-minces de Ni ou Ni1-yPty à fort taux de Pt (> 10 at.%), les réactions à l'état solide sont complexes et leurs études restent rares. Dans ce travail, nous proposons une étude comparative des systèmes Ni/Si0,7Ge0,3 et NiPt(15 at.%)/Si0,7Ge0,3. La discussion est centrée sur les mécanismes de formation et de dégradation intervenant pendant la réaction Ni/Si0,7Ge0,3. Puis, l'impact du Pt sur la séquence de phase et la dégradation a été identifié. Finalement, la comparaison de ces réactions réalisées sur pleine plaque et dans des motifs a permis d'extraire l'impact du confinement. Afin de caractériser ces films très fins, la sonde atomique tomographique a été utilisée pour étudier la redistribution des éléments, ainsi que la diffraction des rayons X pour identifier la phase en présence et la texture du film. / For 14 nm node and beyond, planar Fully Depleted Silicon-On-Isolator (FDSOI) CMOS of STMicroelectronics implements Si1-xGex epitaxial layers in source/drain (S&D) areas to enhance the hole mobility by inducing a compressive stress in the pMOS channel. Salicide process is preformed to contact S&D prior pre-metal dielectric deposition. However, the Nickel based germanosilicidation of S&D remains more than ever a critical challenge. Indeed, Nickel germanosilicide suffers from Ge out-diffusion and film agglomeration from 400 °C which both degrade irreversibly transistor performances. Morphological stability of Ni based silicide has been considerably improved by using Ni1-yPty alloys on Si. Nevertheless, for the quaternary system with Ni-Pt-Ge-Si as well as for ultra-thin Ni or Ni1-yPty films and high Pt content (> 10 at.%), the solid state reactions are complex and remain poorly understood. In this work, we propose a comparative study between Ni/Si0,7Ge0,3 and NiPt(15 at.%)/Si0,7Ge0,3. We focused on the discussion on the formation and degradation phenomena occurring during the Ni/Si0,7Ge0,3 reaction. Then, the impact of Pt on both phase sequence and degradation has been identified. Finally, the comparison between reactions performed on blanket and patterned wafers permit to extract the impact of patterning. To characterize these very thin films, atom probe tomography was performed to study element redistribution, as well as X-rays diffraction to identify phase nature and texture.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:theses.fr/2015AIXM4312 |
| Date | 02 February 2015 |
| Creators | Bourjot, Emilie |
| Contributors | Aix-Marseille, Mangelinck, Dominique |
| Source Sets | Dépôt national des thèses électroniques françaises |
| Language | French |
| Detected Language | French |
| Type | Electronic Thesis or Dissertation, Text |
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