Silicon manufacturers are experiencing shortages ofsemiconductors and the demand for cost-effective, power-efficientembedded memory solutions is increasing. For these issues, a newemerging memory technology called embedded magnetoresistiverandom access memory (eMRAM) and the development of thewrite mechanism called spin-transfer torque (STT-MRAM) havebeen proposed. The eMRAM has non-volatility, reduced totalenergy consumption, fast read/write operation and has a smallmacro size compared to the semiconductor-based memory typessuch as SRAM, Flash and EEPROM. The purpose of thisstudy is to investigate eMRAM and how it can be used in amicrocontroller to replace all three existing, semiconductor-basedmemory types. The focus will be on how solution can be createdwith smaller memory chip area, improved energy efficiency andfaster read/write operations. A literature review was established,to determine if eMRAM does indeed result in better memorycharacteristics and memory performance. As well as to determinethe requirements that is needed for a flash-type and SRAMtypeapplication. The study shows that eMRAM have a potentialto create many solutions for a microcontroller, such as it hasthe potential to simplify its memory architecture by providing aunified memory solution for its code and data storage as well asfor its working memory. / Halvedartillverkarna står inför svårigheter på grund av bristen på halvledare och att efterfrågan på kostnadseffektiva, strömsnåla inbyggda minneslösningar ökas. För att lösa dessa problem har en ny framväxande minnesteknik som kallas för inbyggd magnetoresistivt slumpmässigt åtkomstminne (eMRAM) och utvecklingen av skrivmekanismen som kallas för spinn-överföringsmoment (STT-MRAM) föreslagits. eMRAM har icke-flyktighet, en låg total energiförbrukning, snabba läsoch skrivfunktioner och har en liten makrostorlek jämfört med de halvledarbaserade minnestyperna såsom SRAM, Flash och EEPROM. Syftet med denna studie är att undersöka eMRAM och hur det kan användas i en mikrokontroller för att ersätta alla tre befintliga halvledarbaserade minnestyper. Fokuset kommer att ligga på hur en lösning kan skapas med mindre minneschipyta, bättre energieffektivitet och snabbare läsoch skrivoperationer. En litteraturgenomgång gjordes för att fastställa om eMRAM verkligen resulterar i bättre minnesegenskaper samt minnesprestanda och att fastställa de krav som krävs för en tillämpning av en flash-typ och en SRAM-typ applikation. Undersökningen visar att eMRAM har en potential att skapa många lösningar för en mikrokontroller, t.ex. har den som potential att förenkla dess minnesarkitektur genom att bidra med en enhetlig minneslösning för kod- och datalagring samt för arbetsminnet. / Kandidatexjobb i elektroteknik 2022, KTH, Stockholm
| Identifer | oai:union.ndltd.org:UPSALLA1/oai:DiVA.org:kth-322733 |
| Date | January 2022 |
| Creators | Chowdhury, Taseen |
| Publisher | KTH, Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS) |
| Source Sets | DiVA Archive at Upsalla University |
| Language | Swedish |
| Detected Language | Swedish |
| Type | Student thesis, info:eu-repo/semantics/bachelorThesis, text |
| Format | application/pdf |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Relation | TRITA-EECS-EX ; 2022:139 |
Page generated in 0.0027 seconds