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Growth and Process-Induced Deep Levels in Wide Bandgap Semiconductor GaN and SiC / 結晶成長及びプロセスにより導入されるワイドバンドギャップ半導体GaN及びSiC中の深い準位

付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」 / 京都大学 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第23909号 / 工博第4996号 / 新制||工||1780(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 川上 養一, 准教授 安藤 裕一郎 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/275231
Date23 March 2022
CreatorsKanegae, Kazutaka
Contributors鐘ケ江, 一孝, カネガエ, カズタカ
PublisherKyoto University, 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageEnglish
Detected LanguageEnglish
Typedoctoral thesis, Thesis or Dissertation
Rights許諾条件により本文は2023-03-23に公開

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