Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnologico. Inclui apendice / Made available in DSpace on 2012-10-16T05:22:57Z (GMT). No. of bitstreams: 0Bitstream added on 2016-01-08T18:17:03Z : No. of bitstreams: 1
91741.pdf: 1577555 bytes, checksum: 73f6935850c9837522bbdc8d99791380 (MD5) / Este trabalho apresenta uma estrutura de transistor MOS composto, formado pela associação em série de dois transistores, sendo que o transistor conectado no terminal de dreno é mais largo do que o transistor conectado no lado da fonte. É mostrado que esta estrutura apresenta características DC idênticas as de um transistor canal longo de largura uniforme. Este transistor composto têmduas grandes vantagens sobre o transistor canal longo equivalente de largura uniforme: economia considerável de área de silício e uma freqüência de ganho unitário mais elevada. Esta estrutura pode ser utilizada para a integração de circuitos analógicos que necessitem de altas velocidade e baixas tensões. A técnica proposta é particularmente adequada para o projeto de circuitos analógicos utilizando a metodologia de "gate-arrays" ("sea-of-transistor").
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.ufsc.br:123456789/75888 |
| Date | January 1993 |
| Creators | Loss, Itamar Jose Bassanezi |
| Contributors | Universidade Federal de Santa Catarina, Schneider, Marcio Cherem, Montoro, Carlos Galup |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | xiii, 51f.| il |
| Source | reponame:Repositório Institucional da UFSC, instname:Universidade Federal de Santa Catarina, instacron:UFSC |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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