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Estrutura eletrônica de H Quimissorvido em Si (III)

Orientador: Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da Silva / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T04:49:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1985 / Resumo: A estrutura eletrônica da superfície Si(111) , com e sem quimissorção de hidrogênio, tem sido calculada usando o método de renormalização. Uma comparação dos resultados com aqueles obtidos de experiências e de outros cálculos indicam que o presente método é bastante conveniente para calcular a estrutura eletrônica de superfícies / Abstract: The electronic structure of the Si(111) surface with and without chemisorption of hydrogen, has been calculated throuth the renormalization method. A comparison of the results with those obtained from experiments and fr9mothercalculations indicates that the present method is quite convenient for the calculation of electronic structures of surfaces / Mestrado / Física / Mestre em Física

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/277631
Date14 August 1985
CreatorsMedeiros, Djalma
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Silva, Cylon Eudóxio Tricot Gonçalves da, 1946-
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin, Programa de Pós-Graduação em Física
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format98 f., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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